买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉思瑞浦微电子科技(苏州)股份有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114420631B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210107483.X，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权半导体器件及其制造方法是由王永;吴建刚设计研发完成，并于2022-01-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：半导体主体，包括衬底、埋层以及外延层，衬底具有第一掺杂类型，埋层具有第二掺杂类型；第一沟槽，从外延层的顶表面延伸到衬底中；第二沟槽，从外延层的顶表面延伸到衬底中；第三沟槽，从外延层的顶表面延伸到埋层中或者外延层中靠近埋层的位置处；第一深沟槽结构，设置在第一沟槽中以将衬底电连接至外延层的顶表面；第二深沟槽隔离结构，设置在第二沟槽中以隔离外延层中的不同器件区域；第三深沟槽隔离结构，设置在第三沟槽中以隔离外延层中的不同器件区域；以及第一掺杂区，靠近第三沟槽的侧壁形成在外延层中并且具有第二掺杂类型，第一掺杂区从外延层的顶表面延伸到埋层以将埋层电连接至外延层的顶表面。

本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种用于制造半导体器件的方法，包括： 提供半导体主体，所述半导体主体包括衬底、设置在所述衬底之上的埋层以及设置在所述埋层之上的外延层，所述衬底具有第一掺杂类型，所述埋层具有与所述第一掺杂类型相反的第二掺杂类型； 在所述外延层的顶表面上形成硬掩模层； 使用单个软掩模层对所述硬掩模层和所述半导体主体进行刻蚀，以在所述半导体主体中同时形成第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽，所述第一沟槽从所述外延层的顶表面延伸到所述衬底中并且具有第一深度，所述第二沟槽从所述外延层的顶表面延伸到所述衬底中并且具有第二深度，所述第三沟槽从所述外延层的顶表面延伸到所述埋层中，并且具有小于所述第二深度的第三深度； 靠近所述第三沟槽的侧壁在所述外延层中形成具有所述第二掺杂类型的第一掺杂区，所述第一掺杂区从所述外延层的顶表面延伸到所述埋层，并且被配置为将所述埋层电连接至所述外延层的顶表面； 在所述第一沟槽中形成第一深沟槽结构，所述第一深沟槽结构被配置为将所述衬底电连接至所述外延层的顶表面； 在所述第二沟槽中形成第二深沟槽隔离结构，所述第二深沟槽隔离结构被配置为隔离所述外延层中的不同器件区域；以及 在所述第三沟槽中形成第三深沟槽隔离结构，所述第三深沟槽隔离结构被配置为隔离所述外延层中的不同器件区域； 其中在所述第一沟槽中形成所述第一深沟槽结构包括： 在所述第一沟槽的侧壁以及底部上形成衬垫； 在所述第一沟槽中在所述衬垫内部形成介电层，所述介电层包括从所述外延层的顶表面朝向所述第一沟槽的底部延伸的第二开口； 对所述第一沟槽中的所述介电层和所述衬垫进行各向异性刻蚀，以使所述第二开口延伸到位于所述第一沟槽的底部处的所述衬垫，并且在位于所述第一沟槽的底部处的所述衬垫中形成与所述第二开口对准的第一开口；以及 利用第一导电材料填充所述第一开口和所述第二开口，所述第一导电材料被配置为将所述衬底电连接至所述外延层的顶表面； 其中在所述第二沟槽中形成所述第二深沟槽隔离结构包括： 在所述第二沟槽的侧壁和底部上形成衬垫；以及 在所述第二沟槽中在所述衬垫内部形成介电层，所述介电层完全填充或者部分地填充所述第二沟槽。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人思瑞浦微电子科技(苏州)股份有限公司，其通讯地址为：215123 江苏省苏州市工业园区星湖街328号创意产业园2-B303；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。