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龙图腾网获悉无锡锡产微芯半导体有限公司申请的专利用于制造具有分裂栅极结构的功率半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114446791B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011223885.3，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权用于制造具有分裂栅极结构的功率半导体器件的方法是由何志;保罗·奥尔甘蒂尼;马哈茂德·谢哈布·穆罕默德·艾尔-萨迪;亚历山德罗·蒙塔格纳;安俊杰设计研发完成，并于2020-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于制造具有分裂栅极结构的功率半导体器件的方法在说明书摘要公布了：制造具有分裂栅极结构的功率半导体器件的方法，提供：在衬底上形成单或多层外延层；形成穿过外延层的沟槽，其从外延层顶表面沿横向于顶表面竖直方向延伸；用电介质区域和导电屏蔽板元件填充沟槽，屏蔽板元件包括从下面的电介质区域突出的上部分和向内竖直于电介质区域延伸的底部分；氧化屏蔽板元件的上部分以在外延层的顶表面处在沟槽中形成隔离区域，屏蔽板元件的底部分限定分裂栅极结构底部；在沟槽内表面上在相同沟槽上部处，在电介质区域上方形成栅极氧化物区域；横向于分离区域形成分裂栅极结构的顶栅部分，其填充外延层顶表面处的沟槽。该方法提供在形成栅极氧化物区域前始于屏蔽板元件上部分形成牺牲氧化物区域及后续蚀刻牺牲氧化物区域。

本发明授权用于制造具有分裂栅极结构的功率半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于制造具有分裂栅极结构36的功率半导体器件的方法，所述方法包括： 在衬底22上形成单层或多层外延层23； 形成穿过所述外延层23的沟槽26，所述沟槽26从所述外延层23的顶表面23a沿横向于所述顶表面23a的竖直方向延伸； 用电介质区域27和导电的屏蔽板元件28'填充所述沟槽26，所述屏蔽板元件28'包括从下面的所述电介质区域27突出的上部分和相较于所述电介质区域27竖直向内延伸的底部分； 部分氧化所述屏蔽板元件28'的所述上部分以形成牺牲氧化物区域29，并且蚀刻所述牺牲氧化物区域29以减小所述屏蔽板元件28'的所述上部分的厚度，使得所述屏蔽板元件28'的所述上部分在后续的氧化期间被完全氧化； 氧化所述屏蔽板元件28'的所述上部分以在所述外延层23的所述顶表面23a处形成分离区域31，所述屏蔽板元件28'的所述底部分限定所述功率半导体器件的所述分裂栅极结构36的底部； 在所述沟槽26的内表面上、在该沟槽26的上部处、在所述电介质区域27上方形成栅极氧化物区域30， 形成所述分裂栅极结构36的顶栅部分34，所述顶栅部分34填充所述外延层23的所述顶表面23a处的所述沟槽26，所述顶栅部分34横向于所述分离区域31， 其特征在于，减小所述屏蔽板元件28'的所述上部分的厚度包括达到所述屏蔽板元件28'的所述上部分的临界下限厚度，从而允许所述屏蔽板元件28'的所述上部分在后续的氧化期间被完全氧化。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人无锡锡产微芯半导体有限公司，其通讯地址为：214028 江苏省无锡市新吴区菱湖大道200号中国传感网国际创新园E1-10层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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