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龙图腾网获悉TCL华星光电技术有限公司申请的专利一种薄膜晶体管及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114446792B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210089030.9，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种薄膜晶体管及其制作方法是由王旭设计研发完成，并于2022-01-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种薄膜晶体管及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种薄膜晶体管及其制作方法，其包括步骤：提供基板；在所述基板上形成缓冲层；在所述缓冲层表面形成第一金属层并对所述第一金属层进行图案化处理形成栅电极；在所述栅电极上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成有源层，所述有源层包括有未掺杂的非晶硅层及位于所述未掺杂的非晶硅层上的非晶硅掺杂层；对所述有源层的部分区域进行脱氢、结晶处理而生成与所述栅电极位置对应的单晶硅层，所述单晶硅层所在区域定义为沟道区，所述沟道区两侧的区域为源极接触区及漏极接触区；在所述源极接触区、漏极接触区形成位于所述源极接触区表面的源极及位于所述漏极接触区表面的漏极。

本发明授权一种薄膜晶体管及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括： 提供基板； 在所述基板上形成缓冲层； 在所述缓冲层表面形成第一金属层并对所述第一金属层进行图案化处理形成栅电极； 在所述栅电极上形成栅极绝缘层； 在所述栅极绝缘层上形成有源层，所述有源层包括有未掺杂的非晶硅层及位于所述未掺杂的非晶硅层上的非晶硅掺杂层； 对所述有源层的未掺杂的非晶硅层及非晶硅掺杂层的部分区域进行脱氢、结晶处理而生成与所述栅电极位置对应的单晶硅层；所述非晶硅掺杂层形成于生成所述单晶硅层的步骤之前； 在所述有源层的表面形成金属层； 蚀刻所述金属层，以形成源极及漏极，且源极及漏极之间的区域为沟道区；及 在所述源极、漏极及所述沟道区上沉积钝化层； 其中，生成所述单晶硅层的步骤进一步包括：提供半导体固体激光器，利用所述半导体固体激光器发出预设能量值的激光光束对所述有源层与所述栅电极位置对应的区域进行照射；在脱氢时，所述半导体固体激光器发出的所述激光光束的预设能量值小于50KWcm2；在结晶时，所述半导体固体激光器发出的所述激光光束的预设能量值大于400KWcm2。

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