国际商业机器公司梁世钧获国家专利权
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龙图腾网获悉国际商业机器公司申请的专利MIM电容器结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114446928B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111228485.6，技术领域涉及：H01L23/522；该发明授权MIM电容器结构是由梁世钧;李保振;杨志超设计研发完成，并于2021-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本MIM电容器结构在说明书摘要公布了：提供一种集成电路结构。该集成电路结构包括后段制程BEOL布线层，该后段制程布线层包括金属线以及在金属线之间的第一区域。该集成电路结构还包括形成在第一区域中的金属‑绝缘体‑金属MIM电容器。MIM电容器包括第一电极、形成在第一电极上的第一电介质层、形成在第一电介质层上的第二电极、形成在第二电极上的第二电介质层、形成在第二电介质层上的第三电极、形成在第三电极上的第三电介质层、形成在第三电介质层上的第四电极、将第一电极与第三电极电连接的第一金属互连、以及将第二电极与第四电极电连接的第二金属互连。
本发明授权MIM电容器结构在权利要求书中公布了：1.一种集成电路结构，包括： 包括下层金属线的下层后段制程BEOL布线层和包括上层金属线的上层BEOL布线层，所述下层金属线通过互连件连接到所述上层金属线，所述下层金属线和所述上层金属线在平面图中沿第一方向延伸，并在所述平面图中在所述下层金属线之间限定出填充形状区域，所述填充形状区域不包括所述下层BEOL布线层的元件；以及 金属-绝缘体-金属MIM电容器，形成在所述填充形状区域中，所述填充形状区域沿所述集成电路结构的厚度方向至少部分地从所述下层BEOL布线层延伸至所述上层BEOL布线层，并且在所述平面图中不与所述下层金属线或所述上层金属线重叠， 其中，所述MIM电容器的第一电极在所述厚度方向上与所述下层金属线形成在相同的层，并且所述MIM电容器的所有剩余部分在所述厚度方向上均形成于所述下层金属线和所述上层金属线之间。
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