苏州晶方半导体科技股份有限公司李瀚宇获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州晶方半导体科技股份有限公司申请的专利封装结构及封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114496941B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210231016.8，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权封装结构及封装方法是由李瀚宇;林焱设计研发完成，并于2022-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本封装结构及封装方法在说明书摘要公布了：本发明公开了封装结构和封装方法，本发明的封装方法先对芯片进行减薄，降低芯片的厚度，控制所述芯片单元的厚度小于60μm，然后刻蚀形成过孔，如此获得的过孔均一性好，而且绝缘层在过孔内壁的覆盖率高。
本发明授权封装结构及封装方法在权利要求书中公布了：1.一种封装结构，其特征在于，包括： 芯片单元，包括相对的第一表面和第二表面，所述第一表面具有感应区和焊垫，所述焊垫与所述感应区电耦合，所述芯片单元的第二表面设置有贯穿所述芯片单元的过孔，所述过孔用于露出所述焊垫，所述芯片单元的厚度小于60μm，所述过孔的深度小于所述过孔的宽度； 保护盖板，与所述芯片单元的第一表面相对； 基板，与所述芯片单元的第二表面相对，所述基板上开设有与所述过孔连通的通孔，所述的基板与所述芯片单元的第二表面之间键合，所述基板的厚度为100μm~120μm； 绝缘层，至少覆盖于所述过孔的内壁； 焊接凸起，设置于所述基板背离所述芯片单元的表面，所述焊接凸起通过设置在所述过孔和通孔内的再布线层与所述焊垫电连接。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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