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龙图腾网获悉通富微电子股份有限公司申请的专利一种扇出型封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114530386B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111665612.9，技术领域涉及：H01L21/50；该发明授权一种扇出型封装方法是由陶玉娟设计研发完成，并于2021-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种扇出型封装方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种扇出型封装方法，该方法包括：提供载板，并在所述载板上设置第一芯片；在所述第一芯片的外围先后形成多个阻挡件和多个导电柱；其中，所述多个导电柱位于所述多个阻挡件的外围，且所述导电柱的高度大于所述阻挡件的高度；在所述载板设置有所述第一芯片一侧形成塑封层，以使得所述第一芯片、所述阻挡件和所述导电柱形成整体结构；去除载板。通过上述方式，本申请能够减小塑封料因收缩产生的形变量，保证了芯片的稳定性；并且不同高度的阻挡件和导电柱设计也可以有效节省封装材料，进而降低了封装成本。

本发明授权一种扇出型封装方法在权利要求书中公布了：1.一种扇出型封装方法，其特征在于，包括： 提供载板，并在所述载板上设置第一芯片； 在所述第一芯片的外围先后形成多个阻挡件和多个导电柱；其中，所述多个导电柱位于所述多个阻挡件的外围，且所述导电柱的高度大于所述阻挡件的高度，所述阻挡件具有导电性，所述阻挡件背离所述载板一端与所述第一芯片的第一功能面齐平； 在所述载板设置有所述第一芯片一侧形成塑封层，以使得所述第一芯片、所述阻挡件和所述导电柱形成整体结构； 去除载板； 其中，所述在所述第一芯片的外围先后形成多个阻挡件和多个导电柱的步骤，包括：在所述载板设置有所述第一芯片一侧形成第一光刻胶层；对所述第一光刻胶层进行曝光显影，以在所述第一光刻胶层上形成多个第一过孔，且所述多个第一过孔位于所述第一芯片的外围；在所述第一过孔内形成所述阻挡件；在所述第一光刻胶层背离所述载板一侧形成第二光刻胶层；对所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层进行曝光显影，以在所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层上形成多个第二过孔，且所述多个第二过孔位于所述多个第一过孔的外围；在所述第二过孔内形成所述导电柱； 其中，所述第一芯片包括相背设置的第一功能面和第一非功能面，所述第一芯片的第一非功能面面向所述载板；所述在所述载板设置有所述第一芯片一侧形成塑封层的步骤之前，包括：去除所有所述第二光刻胶层以及所述导电柱周围的所述第一光刻胶层；在所述第一芯片的第一功能面背离所述载板一侧设置至少一个第二芯片，并至少在所述第二芯片的第二功能面和所述载板之间形成底填胶，且所述阻挡件位于底填胶内；其中，所述第二芯片的第二功能面朝向所述第一芯片的第一功能面，所述第二芯片横跨所述第一芯片的至少部分和与所述第一芯片的至少部分邻近的至少部分所述阻挡件，且所述第二芯片的第二功能面上的第二焊盘与对应位置处的所述第一芯片的第一功能面上的第一焊盘和所述阻挡件电连接；其中，所述导电柱和所述第二芯片背离所述载板一侧表面齐平。

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