清华大学;广西三环高科拉曼芯片技术有限公司李世林获国家专利权
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龙图腾网获悉清华大学;广西三环高科拉曼芯片技术有限公司申请的专利用于表面增强拉曼散射的基片、基片的制备方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114544586B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210109567.7，技术领域涉及：G01N21/65；该发明授权用于表面增强拉曼散射的基片、基片的制备方法及其应用是由李世林;凌云汉;张政军;陈诚;林鹰设计研发完成，并于2022-01-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于表面增强拉曼散射的基片、基片的制备方法及其应用在说明书摘要公布了：本公开提供了一种用于表面增强拉曼散射的基片，所述基片包括：铜基体；和碘化亚铜钝化膜，形成于所述铜基体的表面。本公开还提供了一种用于表面增强拉曼散射的基片的制备方法和应用该基片进行表面增强拉曼散射的方法。
本发明授权用于表面增强拉曼散射的基片、基片的制备方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种用于表面增强拉曼散射的基片，其特征在于，所述基片包括： 铜基体；和 碘化亚铜钝化膜，基于电化学钝化法形成于所述铜基体的表面，所述碘化亚铜钝化膜采用具有表面增强拉曼效果的微纳结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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