西南技术物理研究所覃文治获国家专利权
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龙图腾网获悉西南技术物理研究所申请的专利无串扰铟镓砷盖革模式焦平面探测芯片结构及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114551412B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111630709.6，技术领域涉及：H10F39/00；该发明授权无串扰铟镓砷盖革模式焦平面探测芯片结构及制作方法是由覃文治;刘源;谢和平;齐瑞峰;陈庆敏;田红军;代千设计研发完成，并于2021-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本无串扰铟镓砷盖革模式焦平面探测芯片结构及制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种无串扰铟镓砷盖革模式焦平面探测芯片结构及制作方法，制备好pn结的铟镓砷盖革模式焦平面光敏阵列芯片通过金金键合与具有微透镜阵列的支撑片键合，铟镓砷盖革模式焦平面芯片p型面为公共电极，n型面电极独立且与读出电路芯片通过铟柱倒装实现互连；芯片入射光子从具有微透镜阵列的支撑片进入，通过微透镜将入射光子汇聚入铟镓砷盖革模式焦平面每个独立光敏探测区的p区，产生的脉冲信号经与n型面互连的读出电路处理后，实现单光子测距、激光三维成像。本发明可实现无串扰且可与硅基盖革模式焦平面探测器共用同类读出电路的InGaAs盖革模式焦平面光敏阵列的制作。
本发明授权无串扰铟镓砷盖革模式焦平面探测芯片结构及制作方法在权利要求书中公布了：1.一种无串扰铟镓砷盖革模式焦平面探测芯片结构，其特征在于，包括：铟镓砷外延晶片和支撑片13，铟镓砷外延晶片上有32×32个光敏探测区7，32×32个光敏探测区7的p电极9与支撑片13上的支撑片背面电极11金金永久键合，在体材料上被完全刻断的每个光敏探测区7四周被光敏探测区钝化膜6覆盖；光敏探测区7的n电极5通过铟柱3与读出电路pad2互连，实现信号在读出电路1的处理；光敏探测区7的p电极9通过支撑片通孔内电极14实现支撑片背面电极11与具有微透镜18阵列的支撑片正面电极17连通。
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