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龙图腾网获悉夏普株式会社申请的专利发光结构、显示设备以及子像素结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114582932B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111395615.5，技术领域涉及：H10K59/35；该发明授权发光结构、显示设备以及子像素结构是由大卫·詹姆斯·蒙哥马利设计研发完成，并于2021-11-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本发光结构、显示设备以及子像素结构在说明书摘要公布了：一种发光结构包括：基板；在所述基板上发射不同颜色的多个子像素堆栈；堤岸，其围绕所述子像素堆栈并在所述子像素堆栈上方形成内部空间；所述内部空间中的第一填充材料；所述第一填充材料上的第二填充材料；以及所述第一填充材料与所述第二填充材料之间的分界面。所述多个子像素堆栈中的各个包括：第一传输层与第二传输层之间的发光层；与所述第一传输层耦接的第一电极层；以及与所述第二传输层耦接的第二电极层。所述多个子像素堆栈各自在所述发光层与所述第一电极层之间具有基本均匀的距离。所述多个子像素堆栈中的各个在与所述多个子像素堆栈中的各个的顶面垂直的一个方向，通过所述分界面发射主发射峰。

本发明授权发光结构、显示设备以及子像素结构在权利要求书中公布了：1.一种发光结构，其包括： 基板； 多个子像素堆栈，其在所述基板的表面上的发射不同颜色，所述多个子像素堆栈中的各个包括：第一传输层与第二传输层之间的发光层、与所述第一传输层耦接的第一电极层以及与所述第二传输层耦接的第二电极层； 堤岸，其围绕所述多个子像素堆栈中的每一个并在所述多个子像素堆栈中的每一个上方形成内部空间； 第一填充材料，其在所述内部空间中并具有第一折射率； 第二填充材料，其在所述第一填充材料上并具有低于所述第一折射率的第二折射率；以及 所述第一填充材料与所述第二填充材料之间的分界面， 其中： 所述多个子像素堆栈在所述发光层与所述第一电极层之间具有均匀的距离， 所述多个子像素堆栈中的至少一个子像素堆栈沿着与所述多个子像素堆栈中的所述至少一个子像素堆栈的顶面垂直的轴上方向，将主发射峰发射到所述第一填充材料与所述第二填充材料中，并且 所述多个子像素堆栈中的所述至少一个子像素堆栈被构造为N=1的光学模式，使得与从所述多个子像素堆栈中的所述至少一个子像素堆栈的所述发光层到所述多个子像素堆栈中的所述至少一个子像素堆栈的所述第一电极并回到所述多个子像素堆栈中的所述至少一个子像素堆栈的所述发光层的发射相关联的相位偏移为2π， 远离所述轴上方向的离轴方向上的发射在被所述堤岸的倾斜面反射并通过所述第一填充材料在所述轴上方向发射之前，被所述分界面经由全内反射至少反射一次， 所述第二填充材料是气隙、硅氧烷基纳米复合聚合物、聚1,1,1,3,3,3-六氟异丙基丙烯酸酯和聚2,2,3,3,4,4,4-七氟丁基丙烯酸酯中的至少一种， 所述堤岸不透明。

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