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龙图腾网获悉株式会社迪思科申请的专利SiC锭的加工方法和激光加工装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114589421B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011414819.4，技术领域涉及：B23K26/53；该发明授权SiC锭的加工方法和激光加工装置是由平田和也;田畑晋设计研发完成，并于2020-12-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本SiC锭的加工方法和激光加工装置在说明书摘要公布了：本发明提供SiC锭的加工方法和激光加工装置，该SiC锭的加工方法能够在任意的高度在SiC锭中形成适当的剥离带。SiC锭的加工方法包含如下的工序：剥离带形成工序，将对于SiC锭具有透过性的波长的加工用激光光线的聚光点定位于与要生成的晶片的厚度对应的深度而对SiC锭照射该加工用激光光线，形成由裂纹构成的带状的剥离带；反射光检测工序，向剥离带照射对于SiC锭具有透过性并且在剥离带的裂纹处发生反射的波长的检查用激光光线，检测在裂纹处发生了反射的反射光的强度；以及加工用激光光线输出调整工序，按照使通过反射光检测工序而检测的反射光的强度处于规定的范围内的方式调整加工用激光光线的输出。

本发明授权SiC锭的加工方法和激光加工装置在权利要求书中公布了：1.一种SiC锭的加工方法，其中， 该SiC锭的加工方法包含如下的工序： 剥离带形成工序，将与由SiC锭的端面和c面形成偏离角的方向垂直的方向作为X轴方向，其中，所述c面相对于SiC锭的端面倾斜，将与该X轴方向垂直的方向作为Y轴方向，一边将对于该SiC锭具有透过性的波长的加工用激光光线的聚光点定位于与要生成的晶片的厚度对应的深度而对该SiC锭照射该加工用激光光线，一边将该SiC锭与该聚光点在该X轴方向上相对地进行加工进给而形成带状的剥离带，该剥离带是使裂纹从SiC分离成Si和C的部分沿着该c面延伸而得的； 分度进给工序，将该SiC锭与该聚光点在该Y轴方向上相对地进行分度进给而在该Y轴方向上并列设置该剥离带； 反射光检测工序，向该剥离带照射对于该SiC锭具有透过性并且在该剥离带的该裂纹处发生反射的波长的检查用激光光线，检测在该裂纹处发生了反射的反射光的强度；以及 加工用激光光线输出调整工序，按照使通过该反射光检测工序而检测的反射光的强度处于规定的范围内的方式调整该加工用激光光线的输出。

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