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龙图腾网获悉深圳市汇顶科技股份有限公司申请的专利CMOS成像传感器及相关制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114649358B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111534915.7，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权CMOS成像传感器及相关制造方法是由高云飞;吴泰锡;萧锦文设计研发完成，并于2021-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本CMOS成像传感器及相关制造方法在说明书摘要公布了：描述了一种CMOS成像传感器及相关制造方法。CMOS图像传感器像素的像素内电路系统内集成有鞍形栅极源极跟随器晶体管。鞍形栅极源极跟随器晶体管结构可以包括具有由沟槽在其轴向侧上限定的三维几何形状的沟道区。在沟道区的顶部和轴向侧上方形成栅极氧化层，并且在栅极氧化层上形成鞍形栅极结构。因此，鞍形栅极结构包括在沟道区的顶部上方延伸的座部，以及在沟道区的第一和第二轴向侧上方延伸的第一和第二防护部，使得第一和第二防护部被掩埋在半导体衬底的上表面的下方例如，掩埋在侧隔离区中形成的沟槽中。

本发明授权CMOS成像传感器及相关制造方法在权利要求书中公布了：1.一种互补金属氧化物半导体CMOS成像传感器CIS，包括： 成像像素包括： 半导体衬底； 光电传感器块，包括至少一个光电传感器，所述至少一个光电传感器被配置为响应于暴露于照射而积累光电荷并将所积累的光电荷转移到浮置扩散区以供读出；和 像素内电路系统，与所述浮置扩散区耦合以将所积累的光电荷转换为像素输出信号，所述像素内电路系统包括： 鞍形栅极源极跟随器晶体管块，包括： 具有三维几何形状的沟道区，包括：具有轴向长度尺寸和平面宽度尺寸的上部、由第一侧沟槽限定以具有所述轴向长度尺寸和第一防护深度尺寸的第一轴向侧部、以及由第二侧沟槽限定以具有所述轴向长度尺寸和第二防护深度尺寸的第二轴向侧部，所述沟道区被注入有沟道掺杂； 栅极氧化层，形成在至少所述沟道区的上部、所述第一轴向侧部和所述第二轴向侧部的上方；和 鞍形栅极结构，形成在所述栅极氧化层上以具有在所述沟道区的所述上部上方延伸的座部、在所述沟道区的所述第一轴向侧部上方延伸的第一防护部以及在所述沟道区的所述第二轴向侧部上方延伸的第二防护部， 使得所述第一防护部和所述第二防护部掩埋在所述半导体衬底的上表面的下方； 其中，所述成像像素还包括：第一氧化物扩散区，用于支撑与所述浮置扩散区耦合的第一重置块；和，第二氧化物扩散区，用于支撑选择块和所述鞍形栅极源极跟随器晶体管块，使得所述选择块和所述鞍形栅极源极跟随器晶体管块共享注入到所述第二氧化物扩散区中的掺杂的源极区。

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