京东方科技集团股份有限公司;华南理工大学袁广才获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司;华南理工大学申请的专利金属氧化物半导体材料、靶材及其制备方法、薄膜晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114649408B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011511468.9，技术领域涉及：H10D62/80；该发明授权金属氧化物半导体材料、靶材及其制备方法、薄膜晶体管及其制备方法是由袁广才;兰林锋;刘凤娟;宁策;胡合合;王飞;彭俊彪设计研发完成，并于2020-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本金属氧化物半导体材料、靶材及其制备方法、薄膜晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体技术领域，尤其涉及一种金属氧化物半导体材料、靶材及其制备方法、薄膜晶体管及其制备方法。用于解决相关技术中金属氧化物半导体TFT在NBIS下阈值电压负漂，引起显示画面的劣化的问题。一种金属氧化物半导体材料，包括：半导体基质材料；以及掺杂在所述半导体基质材料中的至少一种稀土化合物，每种稀土化合物的通式表示为MFDaAb；在通式MFDaAb中，MFD选自稀土元素中，能够发生f‑d跃迁和或电荷转移跃迁的元素中的一种，A选自能够使相应的MFD发生f‑d跃迁和或电荷转移跃迁的吸收光谱的波段红移至可见光波段范围内的元素，a为通式MFDaAb中元素MFD的原子个数，b为元素A的原子个数。
本发明授权金属氧化物半导体材料、靶材及其制备方法、薄膜晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种金属氧化物半导体材料，其特征在于，包括： 半导体基质材料；以及 掺杂在所述半导体基质材料中的至少一种稀土化合物，每种稀土化合物的通式表示为MFDaAb； 在通式MFDaAb中，MFD选自稀土元素中，能够发生f-d跃迁和或电荷转移跃迁的元素中的一种，MFD选自镧系金属中除镧元素以外的其余元素中的一种；A选自能够使相应的MFD发生f-d跃迁和或电荷转移跃迁的吸收光谱的波段红移至可见光波段范围内的元素，A选自电负性小于氧的元素中的其中一种；a为通式MFDaAb中元素MFD的原子个数，b为元素A的原子个数。
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