台湾积体电路制造股份有限公司吴旻政获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利曝光工具及使用曝光工具的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114690586B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210073918.3，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权曝光工具及使用曝光工具的方法是由吴旻政;黄静茹设计研发完成，并于2022-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本曝光工具及使用曝光工具的方法在说明书摘要公布了：本文描述的一些实施方式提供了一种曝光工具及使用曝光工具的方法。该曝光工具包括遮罩变形侦测器及一或多个处理器，该一或多个处理器用以在扫描晶圆的多个场的扫描制程期间经由遮罩变形侦测器获取与遮罩相关联的遮罩变形信息。一或多个处理器在扫描制程期间基于遮罩变形信息多次判定遮罩的变形，且在扫描制程期间基于遮罩的变形多次执行对曝光工具的一或多个组件的一或多次调整。
本发明授权曝光工具及使用曝光工具的方法在权利要求书中公布了：1.一种曝光工具，其特征在于，包含： 一遮罩变形侦测器，包含一遮罩温度感测器；及 一或多个处理器，用以： 在一晶圆的一扫描制程期间，经由该遮罩变形侦测器获取与一遮罩及包含该遮罩的一温度相关联的遮罩变形信息； 在该扫描制程期间，基于该遮罩变形信息，判定该遮罩的一像差漂移，其中该像差漂移指示该遮罩的一像差的一变化，该像差的该变化是在除了与该遮罩的该像差相关的该曝光工具的一或多个组件的一个或多个初始调整之外，不对该曝光工具的一或多个组件进行一或多次调整的情况下由该遮罩的一变形引起的；及 基于该像差漂移，对该曝光工具的该一或多个组件进行该一或多次调整。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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