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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十五研究所申请的专利一种抗单粒子效应栅极损伤的功率VDMOS器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114709263B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210268688.6，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种抗单粒子效应栅极损伤的功率VDMOS器件是由张腾;李士颜;黄润华;柏松设计研发完成，并于2022-03-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种抗单粒子效应栅极损伤的功率VDMOS器件在说明书摘要公布了：本发明提供一种抗单粒子效应栅极损伤的功率VDMOS器件，该VDMOS器件包括第一导电类型衬底、外延层和高浓度掺杂源极，第二导电类型埋层、阱区和高掺杂区。第一导电类型外延层上方形成栅极电介质、栅电极、钝化层和源极金属电极。第二导电类型埋层位于栅极正下方，覆盖全部的JFET区域和部分第二导电类型阱区区域，且和第二导电类型阱区区域的纵向距离大于相邻2个第二导电类型阱区区域间距定义的JFET宽度的一半。该结构利用埋层的电场屏蔽和载流子导流效果，在不以牺牲JFET电阻为代价的基础上，能显著抑制辐照引发的栅极退化，同时还能降低米勒电容，改善器件高频特性。

本发明授权一种抗单粒子效应栅极损伤的功率VDMOS器件在权利要求书中公布了：1.一种抗单粒子效应栅极损伤的功率VDMOS器件，其特征在于，包括： 第一导电类型衬底1； 位于所述第一导电类型衬底1底部的漏电极； 位于所述第一导电类型衬底1上的第一导电类型外延层漂移区2； 位于所述第一导电类型外延层漂移区2中的第二导电类型埋层3，所述第二导电类型埋层3在第一方向上的投影覆盖器件有源区中全部的JFET区和部分的第二导电类型阱区4，所述第一方向是所述第一导电类型外延层漂移区2的生长方向，所述第二导电类型埋层3与所述第二导电类型阱区4的垂直距离不小于所述JFET区宽度的一半； 位于所述第一导电类型外延层漂移区2中且靠近上表面的第二导电类型阱区4； 位于所述第一导电类型外延层漂移区2中，相邻两个所述第二导电类型阱区4中间的JFET区； 位于所述第二导电类型阱区4，靠近所述JFET区的第一导电类型源区6； 位于所述第二导电类型阱区4，远离所述JFET区的第二导电类型重掺杂区5； 位于部分所述第二导电类型阱区4、所述第一导电类型源区6、所述JFET区上的隔离栅介质层7； 位于部分所述隔离栅介质层7上的栅电极8； 位于所述栅电极8和所述隔离栅介质层7上的钝化层9； 位于所述第二导电类型重掺杂区5、所述钝化层9和部分所述第一导电类型源区6之上的源极金属电极。

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