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龙图腾网获悉微芯片技术股份有限公司申请的专利使用薄膜电阻器(TFR)盖层作为蚀刻停止件和/或硬掩模在集成电路器件中形成的TFR获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114730838B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080079200.4，技术领域涉及：H10N97/00；该发明授权使用薄膜电阻器(TFR)盖层作为蚀刻停止件和/或硬掩模在集成电路器件中形成的TFR是由P·费斯特;J·威廉姆斯;J·考夫曼设计研发完成，并于2020-11-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本使用薄膜电阻器(TFR)盖层作为蚀刻停止件和/或硬掩模在集成电路器件中形成的TFR在说明书摘要公布了：本发明提供了一种用于在集成电路IC器件中形成薄膜电阻器TFR的方法。在包括IC元件和IC元件触点的IC结构之上形成TFR膜并且使该TFR膜退火。形成至少一个TFR盖层，并且TFR蚀刻从该TFR膜限定TFR元件。TFR触点蚀刻在该TFR元件之上形成TFR触点开口，并且金属层在该IC结构之上形成并延伸到这些TFR触点开口中以形成到这些IC元件触点和该TFR元件的金属触点。在该TFR膜之上形成的该TFR盖层，例如SiN盖和或氧化物盖，可以a在该TFR触点蚀刻期间提供蚀刻停止件，和或b在该TFR蚀刻期间提供硬掩模，这可以免于使用光掩模并由此免于蚀刻后去除光掩模聚合物。

本发明授权使用薄膜电阻器(TFR)盖层作为蚀刻停止件和/或硬掩模在集成电路器件中形成的TFR在权利要求书中公布了：1.一种在半导体集成电路器件中形成集成薄膜电阻器TFR的方法，所述方法包括： 形成集成电路IC结构，所述集成电路IC结构包括多个IC元件和连接到所述多个IC元件的多个导电IC元件触点，其中所述多个导电IC元件触点不包括具有低熔融温度的金属； 在所述集成电路IC结构之上形成TFR膜层； 在所述TFR膜层之上形成TFR盖层； 执行第一蚀刻过程以去除所述TFR盖层的选定部分，从而限定盖和下面的TFR元件； 形成氧化物盖层； 执行第二蚀刻过程以在所述TFR元件之上的所述氧化物盖层中形成至少一个氧化物盖开口； 穿过所述至少一个氧化物盖开口执行第三蚀刻过程以在所述盖中形成至少一个TFR触点开口，从而暴露所述TFR元件的表面； 在所述集成电路IC结构之上形成金属互连层，所述金属互连层包括a耦接到所述多个导电IC元件触点中的至少一个导电IC元件触点的至少一个金属互连元件和b延伸到所述至少一个TFR触点开口中以接触所述TFR元件的至少一个金属互连件；并且 于在形成所述TFR膜层之后并且在形成所述金属互连层之前的某个时间，执行TFR退火以使所述TFR膜层或所述TFR元件退火。

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