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龙图腾网获悉株式会社东芝申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114864684B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110946289.6，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权半导体装置及其制造方法是由梶原瑛祐;大野浩志;加藤大望;向井章;藏口雅彦设计研发完成，并于2021-08-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：提供一种能够提高特性的半导体装置及其制造方法。根据实施方式，半导体装置包含：第1～第3电极；第1、第2半导体区域；以及第1、第2绝缘构件。第1半导体区域包含Alx1Ga1‑x1N0≤x11。第2半导体区域包含Alx2Ga1‑x2Nx1x2≤1。第1绝缘构件包含硅和铝中的至少任一个以及氧。第2绝缘构件包含硅以及氮。第2绝缘构件包含第1绝缘区域以及第2绝缘区域。第2绝缘区域具有比第1绝缘区域中的第1氮浓度更高的第2氮浓度、比第1绝缘区域中的第1氢浓度更低的第2氢浓度以及比第1绝缘区域中的第1密度更高的第2密度中的至少任一个。

本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，具备： 第1电极； 第2电极，从所述第1电极到所述第2电极的方向沿第1方向； 包含第1电极部分的第3电极，所述第1电极部分的所述第1方向上的位置处于所述第1电极的所述第1方向上的位置与所述第2电极的所述第1方向上的位置之间； 包含Alx1Ga1-x1N的第1半导体区域，所述第1半导体区域包含第1部分区域、第2部分区域、第3部分区域、第4部分区域以及第5部分区域，从所述第1部分区域到所述第1电极的方向沿与所述第1方向交叉的第2方向，从所述第2部分区域到所述第2电极的方向沿所述第2方向，从所述第3部分区域到所述第1电极部分的方向沿所述第2方向，所述第4部分区域在所述第1方向上处于所述第1部分区域与所述第3部分区域之间，所述第5部分区域在所述第1方向上处于所述第3部分区域与所述第2部分区域之间，其中，0≤x11； 包含Alx2Ga1-x2N的第2半导体区域，所述第2半导体区域包含第1半导体部分以及第2半导体部分，从所述第4部分区域到所述第1半导体部分的方向沿所述第2方向，从所述第5部分区域到所述第2半导体部分的方向沿所述第2方向，其中，x1x2≤1； 包含硅和铝中的至少任一个以及氧的第1绝缘构件，所述第1绝缘构件包含第1绝缘部分，所述第1绝缘部分处于所述第3部分区域与所述第1电极部分之间；以及 包含硅以及氮的第2绝缘构件，所述第2绝缘构件包含第1绝缘区域以及第2绝缘区域，所述第1绝缘区域的所述第1方向上的位置处于所述第1电极的所述第1方向上的所述位置与所述第1电极部分的所述第1方向上的所述位置之间，所述第2绝缘区域的所述第1方向上的位置处于所述第1绝缘区域的所述第1方向上的所述位置与所述第1电极部分的所述第1方向上的所述位置之间，所述第1半导体部分处于所述第4部分区域与所述第1绝缘区域之间以及所述第4部分区域与所述第2绝缘区域之间，所述第2绝缘区域具有比所述第1绝缘区域中的第1氮浓度更高的第2氮浓度、比所述第1绝缘区域中的第1氢浓度更低的第2氢浓度以及比所述第1绝缘区域中的第1密度更高的第2密度中的至少任一个， 所述第2绝缘构件包含第3绝缘区域以及第4绝缘区域， 所述第3绝缘区域的所述第1方向上的位置处于所述第1电极部分的所述第1方向上的所述位置与所述第2电极的所述第1方向上的所述位置之间， 所述第4绝缘区域的所述第1方向上的位置处于所述第3绝缘区域的所述第1方向上的所述位置与所述第2电极的所述第1方向上的所述位置之间， 所述第2半导体部分处于所述第5部分区域与所述第3绝缘区域之间以及所述第5部分区域与所述第4绝缘区域之间， 所述第3绝缘区域具有比所述第4绝缘区域中的第4氮浓度更高的第3氮浓度、比所述第4绝缘区域中的第4氢浓度更低的第3氢浓度以及比所述第4绝缘区域中的第4密度更高的第3密度中的至少任一个， 所述第2绝缘构件还包含第6绝缘区域， 所述第4绝缘区域在所述第2半导体部分与所述第6绝缘区域之间， 所述第6绝缘区域具有比所述第3氮浓度更低的第6氮浓度、比所述第3氢浓度更高的第6氢浓度以及比所述第3密度更低的第6密度中的至少任一个。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社东芝，其通讯地址为：日本东京都；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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