三菱电机株式会社藤井秀纪获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉三菱电机株式会社申请的专利半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114864700B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210555566.5，技术领域涉及：H10D8/00；该发明授权半导体装置的制造方法是由藤井秀纪设计研发完成，并于2019-03-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：本发明目在于提供能够在确保耐压的同时，抑制恢复时的峰值电流的技术。半导体装置的制造方法具备以下工序：在p型杂质浓度恒定的半导体衬底，通过照射或注入n型杂质，从而形成阳极层以及第1半导体层，所述阳极层的p型杂质浓度是恒定的，所述第1半导体层的n型杂质浓度具有分布，所述第1半导体层中的所述阳极层侧的部分的n型杂质浓度比所述阳极层的p型杂质浓度低；以及形成第2半导体层，所述第2半导体层是与所述阳极层之间夹着所述第1半导体层而配置的，n型杂质浓度比所述第1半导体层高且是恒定的。
本发明授权半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置的制造方法，其具备以下工序： 在p型杂质浓度恒定的半导体衬底，通过照射或注入n型杂质，从而形成阳极层以及第1半导体层，所述阳极层的p型杂质浓度是恒定的，所述第1半导体层的n型杂质浓度并非恒定而是具有分布，所述第1半导体层中的所述阳极层侧的部分的n型杂质浓度比所述阳极层的p型杂质浓度低；以及 形成第2半导体层，所述第2半导体层是与所述阳极层之间夹着所述第1半导体层而配置的，n型杂质浓度比所述第1半导体层高且是恒定的。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三菱电机株式会社，其通讯地址为：日本东京；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励