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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利半导体工艺方法和半导体装置系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114883189B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210591994.3，技术领域涉及：H01L21/308；该发明授权半导体工艺方法和半导体装置系统是由罗永坚设计研发完成，并于2022-05-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体工艺方法和半导体装置系统在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体工艺方法，包括：执行半导体工艺，半导体工艺包括在预定基板上制作第一芯轴图案，在每个第一芯轴的两侧制作第一侧壁，去除第一芯轴，利用第一侧壁对预定基板进行加工，以形成多个鳍片结构；根据多次执行半导体工艺时，第一芯轴的宽度值以及对应的鳍片结构之间的间距，对下一次执行半导体工艺时第一芯轴的宽度值进行调节，使鳍片结构之间的间距趋于一致。本发明提供的半导体工艺方法能够在量产过程中根据前面执行工艺的工艺结果实时对下一次执行工艺时第一芯轴的宽度值进行反馈调节，进而实时稳定维持鳍片间距的均匀性，保证产品性能、提高产品良率。本发明还提供一种半导体装置系统。

本发明授权半导体工艺方法和半导体装置系统在权利要求书中公布了：1.一种半导体工艺方法，用于对预定基板进行处理，所述预定基板包括衬底和位于所述衬底上的至少一层芯轴层，其特征在于，所述半导体工艺方法包括： 在第一工艺条件下，对位于顶层的所述芯轴层进行刻蚀，形成多个第一芯轴； 获取每个所述第一芯轴的宽度值； 在每个所述第一芯轴的两侧形成第一侧壁； 以所述第一侧壁为掩膜对所述预定基板进行刻蚀，以在所述衬底上形成多个鳍片结构； 获取多个所述鳍片结构之间的间距； 基于所述第一芯轴的宽度值以及对应的所述鳍片结构之间的间距，判断多个所述鳍片结构之间的间距是否一致，若不一致，则调整所述第一工艺条件为第二工艺条件，通过所述第二工艺条件对在后执行所述半导体工艺时所述第一芯轴的宽度值进行调节，以使多个所述鳍片结构之间的间距趋于一致， 其中，所述芯轴层为单层结构； 所述基于所述第一芯轴的宽度值以及对应的所述鳍片结构之间的间距，判断多个所述鳍片结构之间的间距是否一致，包括： 计算多个所述第一芯轴对应的多对所述鳍片结构中每对所述鳍片结构之间的间距的平均值与多对相邻且对应于不同所述第一芯轴的所述鳍片结构之间的间距的平均值之间的第一差值； 判断所述第一差值是否在预设范围内； 若所述第一差值超出所述预设范围，则多个所述鳍片结构之间的间距不一致； 所述调整所述第一工艺条件为第二工艺条件，通过所述第二工艺条件对在后执行所述半导体工艺时所述第一芯轴的宽度值进行调节，包括： 将所述第一芯轴的宽度值和所述第一差值做一一对应关系并做拟合，寻找在所述预设范围内的所述第一芯轴的目标宽度值； 调整所述第一工艺条件为第二工艺条件，以使在后形成的所述第一芯轴的宽度值满足目标宽度值。

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