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龙图腾网获悉上海华力微电子有限公司申请的专利一种半导体器件的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975112B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210420885.5，技术领域涉及：H01L21/311；该发明授权一种半导体器件的形成方法是由王强;刘哲郡;黄然设计研发完成，并于2022-04-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件的形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次沉积二氧化硅层、多晶硅层和硬掩膜层，并依次刻蚀硬掩膜层、多晶硅层和二氧化硅层，形成伪多晶硅栅；在层叠的所述二氧化硅层、伪多晶硅栅、硬掩膜层的两侧依次形成侧墙一、侧墙二；形成光刻胶，通过光刻工艺将所述伪多晶硅栅和侧墙一、侧墙二上的光刻胶打开；湿法去除所述光刻胶暴露出的侧墙二，使所述侧墙一露出；去除所述硬掩膜层，并同时将所述侧墙一高出所述伪多晶硅栅的牛角进行去除。通过增加湿法去除工艺，对于侧墙二进行去除，使得侧墙一裸露出，在回刻刻蚀的过程中直接刻蚀侧墙一，从而能够解决牛角难以去除的问题。

本发明授权一种半导体器件的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于， 提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次沉积二氧化硅层、多晶硅层和硬掩膜层，并依次刻蚀硬掩膜层、多晶硅层和二氧化硅层，形成伪多晶硅栅1； 在层叠的所述二氧化硅层、伪多晶硅栅1、硬掩膜层的两侧依次形成侧墙一4、侧墙二5； 形成光刻胶，通过光刻工艺将所述伪多晶硅栅1和侧墙一4、侧墙二5上的光刻胶打开； 湿法去除所述光刻胶暴露出的侧墙二5，使所述侧墙一4露出； 去除所述硬掩膜层，并同时将所述侧墙一4高出所述伪多晶硅栅1的牛角401进行去除，使得所述伪多晶硅栅1的高度与所述侧墙一4的顶部齐平；其中，所述半导体衬底具有第一器件区域和第二器件区域，所述第一器件区域上的伪多晶硅栅1的尺寸大于所述第二器件区域的伪多晶硅栅1的尺寸；在形成光刻胶之后，先通过光刻工艺将所述第一器件区域的伪多晶硅栅1和侧墙一4、侧墙二5上的光刻胶打开，剩余的光刻胶掩蔽所述第二器件区域；在去除所述硬掩膜层之前，先对所述光刻胶进行回刻蚀，以将所述第二器件区域的伪多晶硅栅1和侧墙一4、侧墙二5上的光刻胶打开；在去除所述硬掩膜层的同时，将所述第一器件区域的所述侧墙一4的牛角401以及所述第二器件区域的侧墙一4的牛角401和侧墙二5同时去除； 所述硬掩膜层包括依次层叠在所述伪多晶硅栅1顶部上的硬掩膜氧化层3和硬掩膜氮化层2，且去除所述硬掩膜层的工艺包括： 首先，采用第一刻蚀工艺对所述硬掩膜氧化层3进行去除，且去除所述硬掩膜氧化层3的同时，去除相应的侧墙一4的牛角401以及剩余的侧墙二5； 然后，采用第二刻蚀工艺对所述硬掩膜氮化层2去除。

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