联华电子股份有限公司尤书鸿获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利可变电阻式存储器装置及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975772B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110212202.2，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权可变电阻式存储器装置及其形成方法是由尤书鸿;郑钧鸿;王泉富设计研发完成，并于2021-02-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本可变电阻式存储器装置及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种可变电阻式存储器装置resistiverandom‑accessmemory,RRAM及其形成方法，其中该可变电阻式存储器装置，包含有一底电极、一高功函数层、一电阻材料层、一顶电极以及高功函数间隙壁。底电极、高功函数层、电阻材料层以及顶电极依序堆叠于一基底上，其中电阻材料层包含一底部以及一顶部。高功函数间隙壁覆盖底部的侧壁，因而构成一可变电阻式存储器单元。本发明还提供一种形成此可变电阻式存储器装置的方法。
本发明授权可变电阻式存储器装置及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种可变电阻式存储器装置，其特征在于，包含有： 底电极、高功函数层、电阻材料层以及顶电极依序堆叠于基底上，其中该电阻材料层包含底部以及顶部； 高功函数间隙壁，覆盖该底部的侧壁，因而构成可变电阻式存储器单元，其中该高功函数层以及该些高功函数间隙壁包含铱；以及 间隙壁，覆盖该顶部以及该顶电极侧壁，其中该些高功函数间隙壁直接位于该高功函数层上，该高功函数间隙壁不覆盖该电阻材料层的该顶部。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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