闽都创新实验室游正璋获国家专利权
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龙图腾网获悉闽都创新实验室申请的专利一种氮化物外延层及其制备方法与功率射频器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115020481B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210646436.2，技术领域涉及：H10D62/85；该发明授权一种氮化物外延层及其制备方法与功率射频器件是由游正璋;方照诒;黄博崇设计研发完成，并于2022-06-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氮化物外延层及其制备方法与功率射频器件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种氮化物外延层及其制备方法与功率射频器件，所述氮化物外延层包括层叠设置的衬底、缓冲层、应力调节层、漂移层和位障层；所述漂移层包括半导体材料，所述半导体材料包括AlN、GaN、AlGaN或AlInGaN中的任意一种或至少两种的组合；所述漂移层中Al的含量为1～30wt％，In的含量为0～30wt％。本发明通过生长漂移层，所述漂移层中含有半导体材料，利用改变应力调节层不同生长方式使得因晶格常数差异和热膨胀系数不同，从而改善了氮化镓的晶体品质。
本发明授权一种氮化物外延层及其制备方法与功率射频器件在权利要求书中公布了：1.一种氮化物外延层，其特征在于，所述氮化物外延层包括层叠设置的衬底、缓冲层、应力调节层、漂移层和位障层； 所述漂移层包括半导体材料，所述半导体材料包括AlN、GaN、AlGaN或AlInGaN中的任意一种或者至少两种的组合； 所述漂移层中Al的含量为1~30wt%，In的含量为0~30wt%； 所述缓冲层、应力调节层和漂移层中还各自独立地包括掺杂材料，所述掺杂材料包括碳、铍、镁或铁中的任意一种或至少两种的组合。
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