深圳技术大学田金鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳技术大学申请的专利离子束刻蚀方法及芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115050635B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210635650.8，技术领域涉及：H01L21/027；该发明授权离子束刻蚀方法及芯片是由田金鹏;张文伟;杨光帅;侯文宇;贾原;宋秋明设计研发完成，并于2022-06-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本离子束刻蚀方法及芯片在说明书摘要公布了：本发明涉及芯片制造技术领域，具体公开一种离子束刻蚀方法和芯片。其中，所述离子束刻蚀方法包括以下步骤：提供基板，在所述基板的上表面覆盖待被刻蚀的材料；在所述材料的上表面覆盖光刻胶，所述光刻胶包括第一光刻胶和第二光刻胶，将所述第一光刻胶覆盖于所述材料的上表面，并对所述第一光刻胶进行固化处理后将所述第二光刻胶覆盖于所述第一光刻胶的上表面，所述第一光刻胶包括LOR光刻胶和PMGI光刻胶中的任一种；通过光刻蚀对所述材料进行图形化处理。通过该方法解决了现有光刻技术后续除胶困难的问题。
本发明授权离子束刻蚀方法及芯片在权利要求书中公布了：1.一种离子束刻蚀方法，其特征在于，所述离子束刻蚀方法包括： 提供基板，在所述基板的上表面覆盖待被刻蚀的材料； 在所述材料的上表面覆盖光刻胶，所述光刻胶包括第一光刻胶和第二光刻胶，其中，在所述材料的上表面覆盖光刻胶，包括：将所述第一光刻胶覆盖于所述材料的上表面，并对所述第一光刻胶进行固化处理后将所述第二光刻胶覆盖于所述第一光刻胶的上表面，所述第一光刻胶包括LOR光刻胶和PMGI光刻胶中的任一种； 通过光刻蚀对所述材料进行图形化处理，包括：利用制备好的掩膜版对所述光刻胶的上表面进行曝光处理；对所述光刻胶进行显影处理，在所述光刻胶的上表面形成需要的图形；剥离第二光刻胶，包括：采用等离子体剥离法剥离所述第二光刻胶；得到所需的基片，所述基片包括基板、所述材料和所述第一光刻胶；基于所述图形对所述材料进行图形化处理；剥离所述第一光刻胶，包括：采用剥离液剥离所述第一光刻胶，所述剥离液包括丙酮、N-甲基吡咯烷酮、RemoverPG去胶剂和二甲基亚砜中的任一种。
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