东北大学张宪民获国家专利权
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龙图腾网获悉东北大学申请的专利通过电场实现磁矩180度非易失翻转自旋电子器件及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115084250B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110289557.1，技术领域涉及：H10N50/20；该发明授权通过电场实现磁矩180度非易失翻转自旋电子器件及应用是由张宪民;仝军伟设计研发完成，并于2021-03-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本通过电场实现磁矩180度非易失翻转自旋电子器件及应用在说明书摘要公布了：本发明涉及信息存储技术领域，具体涉及一种能够通过电场实现磁矩180度非易失翻转的自旋电子器件及应用方法。所述自旋电子器件包括两个磁性层和设置于两个磁性层之间的绝缘层或半导体材料，设置于两个磁性层中间的绝缘层或半导体材料能够隔绝两个磁性层的直接相互作用；所述两个磁性层中的一层为半半导体或磁性金属材料，另一层为双极磁性半导体。该器件能够实现通过电场控制两个磁性层的磁耦合状态，实现磁矩的180度翻转。在去掉电场后，两个磁性层之间几乎没有耦合，从而实现磁矩翻转的非易失性。
本发明授权通过电场实现磁矩180度非易失翻转自旋电子器件及应用在权利要求书中公布了：1.一种能够通过电场实现磁矩180度非易失翻转的自旋电子器件，其特征在于，包括两个磁性层和设置于两个磁性层之间的绝缘层，设置于两个磁性层中间的绝缘层能够隔绝两个磁性层的直接相互作用；所述两个磁性层中的一层为半半导体或磁性金属材料，另一层为双极磁性半导体；如采用半半导体，则所述半半导体的价带不高于所述双极磁性半导体的导带，并且所述双极磁性半导体的价带不高于所述半半导体的导带；如采用磁性金属材料，则所述磁性金属材料的费米能级落在所述双极磁性半导体的价带和导带之间； 所述半半导体为CrI3、CrCl3中的一种。
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