华中科技大学;湖北江城实验室程晓敏获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学;湖北江城实验室申请的专利一种相变薄膜、薄膜制备方法及相变存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115084370B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210762301.2，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种相变薄膜、薄膜制备方法及相变存储器是由程晓敏;崔铭格;曾运韬;李凯;缪向水设计研发完成，并于2022-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种相变薄膜、薄膜制备方法及相变存储器在说明书摘要公布了：本发明提供一种相变薄膜、薄膜制备方法及相变存储器，相变薄膜的化学组成符合化学通式TiTe2xSb2Te31‑x，其中，x为TiTe2的百分比，且0x0.6。该相变薄膜与纯Sb2Te3相变薄膜相比，非晶稳定性明显提升，晶粒尺寸明显减小。随着TiTe2掺杂比例的增加，非晶稳定性进一步提升，晶粒尺寸进一步减小。将该相变薄膜应用于相变存储器中，可以在不牺牲Sb2Te3相变存储器SET速度的前提下提升非晶稳定性，甚至能进一步提高其SET速度。该相变存储器与纯Sb2Te3相变存储器相比，RESET功耗明显降低且能有效抑制电阻漂移。随着TiTe2掺杂比例的增加，RESET功耗进一步降低，电阻漂移系数进一步减小。
本发明授权一种相变薄膜、薄膜制备方法及相变存储器在权利要求书中公布了：1.一种相变薄膜，其特征在于，所述相变薄膜的化学通式为：TiTe2xSb2Te31-x，0x0.6； TiTe2掺杂比例x越大，Sb2Te3完成晶化所需的时间越小，晶化后的Sb2Te3晶粒尺寸越小，且所述相变薄膜处于非晶态的非晶稳定性越高。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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