电子科技大学饶高峰获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种基于单质碲薄膜的非易失性存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115224190B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210690856.0，技术领域涉及：H10B51/00；该发明授权一种基于单质碲薄膜的非易失性存储器及其制备方法是由饶高峰;周婷;汪洋;杨超;晏超贻;刘雨晴;王显福设计研发完成，并于2022-06-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于单质碲薄膜的非易失性存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明的目的在于提供一种基于单质碲薄膜的非易失性存储器及其制备方法，属于铁电存储器技术领域。本发明非易失性存储器的核心区采用在空气中具有极强的稳定性的碲烯，极大提升了存储器的稳定性以及降低了室温下存储器制备的难度，解决了传统二维材料作为存储器单元，在长循环过程中会出现元素偏析，导致器件失效的问题。
本发明授权一种基于单质碲薄膜的非易失性存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于单质碲薄膜的非易失性存储器，其特征在于，从下至上依次为衬底、半导体 沟道层和电极层；所述半导体沟道层的材料为具有面内及面外铁电性单质碲薄膜，厚度为 0.4nm；且通过施加面内或面外电场，使得单质碲原有的极化状态实现反转，从而改变 材料与电极间的肖特基势垒，使得整体电导率急速下降上升，形成存储窗口；所述电极材料为CrAu。
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