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龙图腾网获悉普列斯半导体有限公司申请的专利单片LED像素获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115244691B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180020229.X，技术领域涉及：H01L25/075；该发明授权单片LED像素是由J·怀特曼设计研发完成，并于2021-03-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本单片LED像素在说明书摘要公布了：提供了一种形成用于发光二极管LED显示器的多个单片LED像素1的方法。该方法包括在牺牲基片上形成包含III族氮化物的共同102半导体层，并在共同半导体层的表面上形成发光二极管LED子像素的阵列。该方法还包括在LED子像素的阵列上形成平坦化介电层。通过对牺牲基片蚀刻像素限定沟槽的网格，来将LED子像素的阵列划分为多个单片LED像素，其中每个单片LED像素包括至少两个LED子像素。牺牲介电层形成在像素沟槽上以形成结合表面。将处理基片结合到结合表面，其中牺牲基片的第一部分被选择性地移除，以分离每个单片LED像素。为每个单片LED像素形成光提取特征，包括：选择性地移除牺牲基片的与每个LED子像素对齐的第二部分，并且牺牲介电层被移除以将每个单片LED像素与处理基片分离。

本发明授权单片LED像素在权利要求书中公布了：1.一种形成用于发光二极管LED显示器的多个单片LED像素的方法，所述方法包括： 在牺牲基片上形成包括III族氮化物的共同半导体层； 在所述共同半导体层的与所述牺牲基片相反的一侧上的所述共同半导体层的表面上形成发光二极管LED子像素的阵列，所述LED子像素的阵列的每个LED子像素包括III族氮化物层的堆叠； 在所述LED子像素的阵列上形成平坦化介电层，以提供与所述共同半导体层的表面对齐的平坦化介电表面； 通过从所述平坦化介电表面向所述牺牲基片蚀刻像素限定沟槽的网格，来将所述LED子像素的阵列划分为多个单片LED像素，其中每个单片LED像素包括在所述共同半导体层上单片地形成的所述LED子像素的阵列的至少两个LED子像素； 在所述像素限定沟槽和所述平坦化介电表面上形成牺牲介电层，以形成与所述共同半导体层的所述表面对齐的结合表面； 将处理基片结合到所述牺牲介电层的所述结合表面； 穿过所述牺牲基片的厚度选择性地移除所述牺牲基片的与所述像素限定沟槽的网格对齐的第一部分，以分离每个所述单片LED像素；和 形成对于每个所述单片LED像素的光提取特征，包括：选择性地移除所述牺牲基片的与每个所述LED子像素对齐的第二部分； 移除所述牺牲介电层，以将每个单片LED像素与所述处理基片分离。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人普列斯半导体有限公司，其通讯地址为：英国德文郡；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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