深圳太古语科技有限公司周魏获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳太古语科技有限公司申请的专利一种用于测序芯片表面化学处理及封装键合的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115261451B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210882256.4，技术领域涉及：C12Q1/6869；该发明授权一种用于测序芯片表面化学处理及封装键合的方法是由周魏;宋扬设计研发完成，并于2022-07-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于测序芯片表面化学处理及封装键合的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于测序芯片表面化学处理及封装键合的方法。所述方法包括：对晶圆衬底进行打孔，在晶圆盖板蚀刻流道结构，将打孔后的晶圆衬底和蚀刻后晶圆盖板进行键合，得到键合晶圆，对键合晶圆进行表面处理，进行切割，得到所述测序芯片。本发明从晶圆级别进行封装键合以及表面处理，最后进行单个芯片的切割和组装，能够解决目前测序芯片制备中存在的相关技术问题，并且在此基础上简化操作流程，降低工艺成本，显著提高生产效率和产能。
本发明授权一种用于测序芯片表面化学处理及封装键合的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于测序芯片表面化学处理及封装键合的方法，其特征在于，所述方法包括： 对晶圆衬底进行打孔，在晶圆盖板蚀刻流道结构，将打孔后的晶圆衬底和蚀刻后晶圆盖板进行键合，得到键合晶圆，对键合晶圆进行表面处理，进行切割，得到所述测序芯片； 所述蚀刻包括根据所需流道结构设计光学掩膜版，利用所述光学掩膜版对晶圆盖板进行蚀刻；所述流道结构的深度为0.05mm～0.1mm；利用掩膜版对晶圆盖板进行流道的蚀刻加工的深度公差控制在+-0.5μm、+-1μm或+-2μm； 所述测序芯片流道的形状具有流线型结构，其中，流线型结构为流道两侧或者两端具有圆滑的曲线的形状； 所述键合的方法为200℃～400℃阳极键合； 所述表面处理的方法为25℃～50℃化学气相沉积处理5min～60min； 所述方法还包括向切割后得到的测序芯片组装芯片框架的步骤。
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