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龙图腾网获悉江苏第三代半导体研究院有限公司申请的专利Micro-LED外延结构及其工艺优化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115274944B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211035270.7，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权Micro-LED外延结构及其工艺优化方法是由闫其昂;王国斌设计研发完成，并于2022-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本Micro-LED外延结构及其工艺优化方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种Micro‑LED外延结构及其工艺优化方法。该工艺优化方法先对第一外延片中第一氮化物量子阱发光层和第一氮化物缓冲层中的p型掺杂剂的浓度进行检测，根据检测结果，可以判定p型掺杂剂向第一氮化物量子阱发光层中的延伸距离，以此可以判断第一外延片的第一氮化物量子阱发光层中的倒锥坑深度是否合理，并给出工艺优化方向，再通过设置氮化物调制层，重新在氮化物量子阱发光层中形成倒锥坑或者将氮化物量子阱发光层中的倒锥坑进行隔离，无需再等到完成芯片制备及测试以后进行工艺调整，克服了生产过程中工艺调整滞后的问题，极大地提高了工艺调整效率，可以降低外延片报废率。

本发明授权Micro-LED外延结构及其工艺优化方法在权利要求书中公布了：1.一种Micro-LED外延结构的工艺优化方法，其特征在于，包括： 制备第一外延片，所述第一外延片包括第一衬底、依次位于第一衬底上的第一n型氮化物层、第一氮化物缓冲层、第一氮化物量子阱发光层和第一p型氮化物层，所述第一p型氮化物层中含有p型掺杂剂； 当第一氮化物量子阱发光层中p型掺杂剂的浓度低于1019cm-3，或者，当所述第一氮化物量子阱发光层和第一氮化物缓冲层中p型掺杂剂的浓度不低于1019cm-3时，制备第二外延片，所述第二外延片包括第二衬底、依次位于第二衬底上的第二n型氮化物层、第二氮化物缓冲层、氮化物调制层、第二氮化物量子阱发光层和第二p型氮化物层，所述第二p型氮化物层中含有p型掺杂剂，所述氮化物调制层用于在制备所述第二氮化物量子阱发光层时，形成仅位于所述第二氮化物量子阱发光层中的倒锥坑，其中，所述第二外延片除氮化物调制层以外结构的制备方法与第一外延片对应结构的制备方法相同； 当第一氮化物量子阱发光层中p型掺杂剂的浓度低于1019cm-3，所述氮化物调制层是第一低势垒氮化物调制层，所述第二外延片还包括第一高势垒氮化物覆盖层和第一高势垒氮化物隔离层，所述第一高势垒氮化物覆盖层位于所述第二氮化物缓冲层和第一低势垒氮化物调制层之间，所述第一高势垒氮化物隔离层位于第一低势垒氮化物调制层和第二氮化物量子阱发光层之间；其中，所述第一低势垒氮化物调制层的制备方法为：在生长温度为700-800℃、压力为50-100torr条件下，在所述第一高势垒氮化物覆盖层上生长厚度为10-50nm的所述第一低势垒氮化物调制层，生长氛围为N2； 当所述第一氮化物量子阱发光层和第一氮化物缓冲层中p型掺杂剂的浓度不低于1019cm-3时，所述氮化物调制层是第二低势垒氮化物调制层，所述第二外延片还包括第二高势垒氮化物覆盖层和第二高势垒氮化物隔离层，所述第二高势垒氮化物覆盖层位于所述第二氮化物缓冲层和第二低势垒氮化物调制层之间，所述第二高势垒氮化物隔离层位于第二低势垒氮化物调制层和第二氮化物量子阱发光层之间；其中，所述第二低势垒氮化物调制层的制备方法为：在生长温度为850-1050℃、压力为400-600torr条件下，在所述第二高势垒氮化物覆盖层上生长厚度为10-50nm的所述第二低势垒氮化物调制层，生长氛围为H2； 所述第一低势垒氮化物调制层和所述第二低势垒氮化物调制层为GaN调制层，所述第一高势垒氮化物覆盖层和所述第二高势垒氮化物覆盖层为AlGaN覆盖层，所述第一高势垒氮化物隔离层和所述第二高势垒氮化物隔离层为AlGaN隔离层；所述第一高势垒氮化物隔离层和所述第二高势垒氮化物隔离层用于将所述氮化物量子阱发光层中的倒锥坑进行隔离；所述第一高势垒氮化物覆盖层和所述第二高势垒氮化物覆盖层用于填平底部的倒锥坑。

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