武汉仟目激光有限公司杨旭获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉仟目激光有限公司申请的专利基于P衬底生长的激光雷达多结VCSEL阵列芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115275782B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211029868.5，技术领域涉及：H01S5/183；该发明授权基于P衬底生长的激光雷达多结VCSEL阵列芯片及其制备方法是由杨旭;郭丁凯;蔡建新设计研发完成，并于2022-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于P衬底生长的激光雷达多结VCSEL阵列芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于P衬底生长的激光雷达多结VCSEL阵列芯片的制备方法，包括如下步骤：S1，选取P型衬底，并于P型衬底上生长多对P型布拉格反射镜；S2，生长完毕后接着在P型布拉格反射镜上生长多组量子阱作为发光区，发光区包括一组或多组隧道结和氧化层；S3，接着于发光区上生长多对N型布拉格反射镜；S4，生长完毕后在N型布拉格反射镜上生长表面高掺杂的接触层。还包括一种基于P衬底生长的激光雷达多结VCSEL阵列芯片。本发明通过P衬底生长P型布拉格反射镜，使得热源更靠近导热率良好的热沉基板，将VCSEL器件工作中产生的热量迅速散掉，降低结区温度，有助于减小有源区的增益曲线随温度的漂移量，从而保证从基板温度从常温到高温均具有较高的增益。
本发明授权基于P衬底生长的激光雷达多结VCSEL阵列芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于P衬底生长的激光雷达多结VCSEL阵列芯片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： S1，选取P型衬底，在热沉基板上生长P型衬底，并于所述P型衬底上生长多对P型布拉格反射镜； S2，生长完毕后接着在所述P型布拉格反射镜上生长多组量子阱作为发光区，所述发光区包括一组或多组隧道结和氧化层； S3，接着于所述发光区上生长多对N型布拉格反射镜； S4，生长完毕后在所述N型布拉格反射镜上生长表面高掺杂的接触层。
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