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龙图腾网获悉西南科技大学申请的专利一种提高通道隔离度的模拟开关获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115276628B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210927993.1，技术领域涉及：H03K17/14；该发明授权一种提高通道隔离度的模拟开关是由颜竹;高杨;刘番伟设计研发完成，并于2022-08-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种提高通道隔离度的模拟开关在说明书摘要公布了：本发明公开了一种提高通道隔离度的模拟开关，涉及开关电路领域。本发明包括N个端口和N个T型开关，其中，第一T型开关的一端与第一端口模拟信号输入端连接；第一T型开关的另一端与模数转换器连接；第N个T型开关的一端与第N端口模拟信号输入端连接；所述第N个T型开关的另一端与模数转换器连接。本发明通过采用互补T型NMOS与T型PMOS管并联传输，从而使信号可以获得全幅度的传输，没有电平的损失，也降低了导通电阻。

本发明授权一种提高通道隔离度的模拟开关在权利要求书中公布了：1.一种提高通道隔离度的模拟开关，其特征在于，包括N个端口和N个T型开关，其中，第一T型开关的一端与第一端口连接；所述第一T型开关的另一端与模数转换器连接；第N个T型开关的一端与第N端口连接；所述第N个T型开关的另一端与模数转换器连接； 所述T型开关包括两个CMOS开关，所述CMOS开关由一个NMOS管和一个PMOS管组成，CMOS开关的导通阻抗随着输入电压变化呈现出互补的现象； 所述T型开关包括：PMOS管M1的源极与NMOS管M3的漏极连接，PMOS管M1的漏极与NMOS管M3的源极连接共同构成CMOS开关；所述CMOS管的输出端与PMOS管M2，NMOS管M4的源极相连并与NMOS管M5的漏极相连；PMOS管M2的漏极与NMOS管M4的漏极连接，并与总输出端相连； 所述T型开关还包括：PMOS管M1的栅极与PMOS管M2的栅极均连接使能端；PMOS管M1的源极、NMOS管M3的栅极与自举电路输出端相连，NMOS管M3的栅极还与PMOS管M6的源极，NMOS管M7的漏极相连；所述PMOS管M6的源极与所述NMOS管M7的漏极连接，所述PMOS管M6的漏极与所述NMOS管M7的源极连接，连接后还与NMOS管M4的栅极以及与NMOS管M8的漏极相连；PMOS管M11，NMOS管M12，PMOS管M5的栅极与使能端相连，NMOS管M7的栅极与使能端相连，PMOS管M6的栅极与输入端相连。

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