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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利一种半导体结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115295493B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210945139.8，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权一种半导体结构及制备方法是由肖文青;黄峰;李钊;黄永彬;杨凯设计研发完成，并于2022-08-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体结构及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体结构及制备方法，该半导体结构包括半导体衬底，半导体衬底中形成有浅沟槽，隔离氧化层填充于浅沟槽中，低压区的隔离氧化层的上表面高于所述高压区的隔离氧化层的上表面，从而在形成第一栅氧层及第二栅氧层后，使得高压区隔离氧化层上第一栅氧层的上表面略高于低压区隔离氧化层的上表面，从而提升整个结构表面的平整度。该制备方法利用现有制程中的第一光刻版，结合涂覆负光刻胶层的方法，使高压区的隔离氧化层暴露出来，同时对低压区形成保护。进而对高压区的隔离氧化层进行消耗减薄，之后再形成第一栅氧层，从而降低高压区隔离氧化层上的第一栅氧层的表面高度，最终提升整个结构表面的平整度。

本发明授权一种半导体结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤： S1：提供半导体中间结构，包括依次叠置的半导体衬底、牺牲氧化层、钝化层及抗反射层，所述半导体衬底中形成有浅沟槽，所述浅沟槽隔离出有源区，隔离氧化层填充于所述浅沟槽内并凸出于所述抗反射层，所述半导体衬底包括低压区及高压区； S2：通过刻蚀工艺对所述有源区上方的所述隔离氧化层进行去除，然后利用化学机械研磨去除所述抗反射层及部分所述隔离氧化层，使所述隔离氧化层的上表面低于所述钝化层的上表面； S3：于所述隔离氧化层及所述钝化层的上表面形成负光刻胶层； S4：采用第一光刻版对高压区进行遮挡，然后进行曝光，对高压区的所述负光刻胶层进行去除； S5：采用干法刻蚀对所述高压区的所述隔离氧化层进行减薄； S6：去除所述负光刻胶层、牺牲氧化层、钝化层，于所述半导体衬底及隔离氧化层上形成第一栅氧层； S7：于所述第一栅氧层表面涂覆正光刻胶层，采用所述第一光刻版对高压区进行遮挡，然后进行曝光，对低压区的所述正光刻胶层进行去除，并对低压区的第一栅氧层进行去除； S8：去除所述正光刻胶层，并于低压区的有源区上形成第二栅氧层，从而形成所述半导体结构；所述低压区隔离氧化层的上表面与有源区上表面的高度差d1与所述高压区隔离氧化层上第一栅氧层的上表面与有源区上表面的高度差d2具有如下关系：0≤d2-d1≤ 其中，步骤S5中对所述高压区的隔离氧化层减薄后，其上表面的高度低于所述低压区的隔离氧化层的上表面，从而提升整个半导体结构的表面平整度。

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