泉州三安半导体科技有限公司蔡均富获国家专利权
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龙图腾网获悉泉州三安半导体科技有限公司申请的专利一种半导体发光元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115312645B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210788042.0，技术领域涉及：H10H20/831；该发明授权一种半导体发光元件是由蔡均富;郭桓邵;吴俊毅设计研发完成，并于2019-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体发光元件在说明书摘要公布了：一种半导体发光元件，其包括半导体发光序列，半导体发光序列沿着厚度方向包括第一类型导电半导体层、第二类型导电半导体层以及两者之间的发光层；多条指状电极，位于半导体发光序列厚度方向的一侧；多个欧姆接触区域，与多条指状电极位于半导体发光序列相反侧，从半导体发光序列指状电极一侧观察，每两条相邻指状电极之间的多个欧姆接触区域沿着指状电极延伸的方向排列成多列，其中最靠近指状电极的第一列的任意一个欧姆接触区域A与同一列相邻的欧姆接触区域B之间的距离大于所述任意一个欧姆接触区域A与靠近指状电极的第二列的相邻一个欧姆接触区域C之间的距离，相邻两列的多个欧姆接触区域在垂直于指状电极的方向错开排列。
本发明授权一种半导体发光元件在权利要求书中公布了：1.一种半导体发光元件，其包括： 半导体发光序列，半导体发光序列包括第一类型导电性半导体层、第二类型导电性半导体层以及两者之间的发光层； 多条指状电极，位于半导体发光序列厚度方向的一侧； 多个欧姆接触区域，与多条指状电极位于半导体发光序列相反侧； 其特征在于：所述的多条指状电极主要部分相互平行，从半导体发光序列的多条指状电极所在一侧观察，每两条相邻指状电极相互平行的主要部分之间的多个欧姆接触区域沿着指状电 极相互平行的主要部分延伸的方向排列成多列，其中最靠近其中一条指状电极的所述主要部分的第一列的任意一个欧姆接触区域A，A’与同一列相邻的欧姆接触区域B，B’之间的距离大于所述任意一个欧姆接触区域A，A’与靠近所述一条指状电极的所述主要部分的第二列的相邻一个欧姆接触区域C，C’之间的距离，相邻两列的多个欧姆接触区域在垂直于所述一条指状电极相互平行的所述主要部分的延伸方向错开排列。
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