深圳市联影高端医疗装备创新研究院全希佳获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市联影高端医疗装备创新研究院申请的专利一种并行发射局部激发脉冲生成方法、装置和存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115327459B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210993760.1，技术领域涉及：G01R33/36；该发明授权一种并行发射局部激发脉冲生成方法、装置和存储介质是由全希佳设计研发完成，并于2022-08-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种并行发射局部激发脉冲生成方法、装置和存储介质在说明书摘要公布了：本申请涉及一种并行发射局部激发脉冲生成方法、装置和存储介质，该方法包括：根据测试对象的三维映射图和三维激发K空间，生成射频脉冲；根据所述三维映射图、所述三维激发K空间和所述射频脉冲，计算激发均匀度；当所述激发均匀度小于预设值时，对用于生成所述射频脉冲和用于计算所述激发均匀度的所述三维映射图和所述三维激发K空间进行更新；当所述激发均匀度大于或等于所述预设值时，根据当前用于计算所述激发均匀度的所述三维激发K空间和所述射频脉冲，生成所述并行发射局部激发脉冲。通过本申请，解决了现有技术中存在的射频脉冲持续时间较长的问题，实现了达到预期的磁共振发射场中局部激发部位均匀程度，同时缩短射频脉冲时长。
本发明授权一种并行发射局部激发脉冲生成方法、装置和存储介质在权利要求书中公布了：1.一种并行发射局部激发脉冲生成方法，其特征在于，所述方法包括： 根据测试对象的三维映射图和三维激发K空间，生成射频脉冲； 根据所述三维映射图、所述三维激发K空间和所述射频脉冲，计算激发均匀度； 当所述激发均匀度小于预设值时，对用于生成所述射频脉冲和用于计算所述激发均匀度的所述三维映射图和所述三维激发K空间进行更新； 当所述激发均匀度大于或等于所述预设值时，根据当前用于计算所述激发均匀度的所述三维激发K空间和所述射频脉冲，生成所述并行发射局部激发脉冲； 其中，所述当所述激发均匀度小于预设值时，对用于生成所述射频脉冲和用于计算所述激发均匀度的所述三维映射图和所述三维激发K空间进行更新，包括：降低所述三维激发K空间的稀疏度，得到更新后的三维激发K空间。
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