华邦电子股份有限公司黒田聡获国家专利权
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龙图腾网获悉华邦电子股份有限公司申请的专利动态随机存取内存的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115332180B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210147927.2，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权动态随机存取内存的制造方法是由黒田聡;王芯雅;蔡昌翰;蔡明庭设计研发完成，并于2022-02-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本动态随机存取内存的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种动态随机存取内存的制造方法，包括：在衬底上形成硬掩膜层；在硬掩膜层与衬底中形成开口；在开口的侧壁形成介电层；在开口中形成第一阻障层与第一导体层；进行第一干式刻蚀工艺，以第一阶段部分地移除第一阻障层与第一导体层；进行第一湿式刻蚀工艺，以第二阶段部分地移除第一阻障层与第一导体层，并裸露出开口的上侧壁的介电层；在开口中形成第二阻障层；在开口中形成掩膜层，以覆盖第二阻障层；移除部分第二阻障层与部分掩膜层，以裸露出在开口的上侧壁上的介电层；及在开口中形成第二导体层。
本发明授权动态随机存取内存的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种动态随机存取内存的制造方法，包括： 在衬底上形成硬掩膜层； 在所述硬掩膜层与所述衬底中形成开口； 在所述开口的侧壁形成介电层； 在所述开口中形成第一阻障层与第一导体层； 在形成所述第一阻障层与所述第一导体层之后，进行第一干式刻蚀工艺，以第一阶段部分地移除所述第一阻障层与所述第一导体层； 在所述第一干式刻蚀工艺之后，进行第一湿式刻蚀工艺，以第二阶段部分地移除所述第一阻障层与所述第一导体层，并裸露出所述开口的上侧壁的所述介电层，其中所述第一湿式刻蚀工艺所采用的刻蚀剂的温度低于60℃； 在所述开口中形成第二阻障层； 在所述开口中形成掩膜层，以覆盖所述第二阻障层； 移除部分所述第二阻障层与所述掩膜层，以裸露出在所述开口的所述上侧壁的所述介电层；以及 在所述开口中形成第二导体层。
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