联华电子股份有限公司叶治东获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利具有较低接触电阻的半导体晶体管结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115332332B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110509466.4，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权具有较低接触电阻的半导体晶体管结构及其制作方法是由叶治东;侯俊良;廖文荣;李瑞池设计研发完成，并于2021-05-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有较低接触电阻的半导体晶体管结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种具有较低接触电阻的半导体晶体管结构及其制作方法，其中该具有较低接触电阻的半导体晶体管结构，包含：一基底；一通道层，设于所述基板上；一阻障层，设于所述通道层上；一二维电子气层，位于所述阻障层和所述通道层间的界面处；一凹槽，设于一接触区域中，其中所述凹槽穿过所述阻障层并延伸到所述通道层中；以及一欧姆接触金属，设置在所述凹槽中，其中所述欧姆接触金属与所述凹槽中的所述阻障层的一垂直侧面直接接触，并且与所述凹槽中的所述二维电子气层和所述通道层的一倾斜侧面直接接触。
本发明授权具有较低接触电阻的半导体晶体管结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种具有较低接触电阻的半导体晶体管结构，其特征在于，包含： 基底； 通道层，设于所述基底上； 阻障层，设于所述通道层上； 二维电子气层，位于所述阻障层和所述通道层间的界面处； 凹槽，设于接触区域中，其中所述凹槽穿过所述阻障层并延伸到所述通道层中；以及 欧姆接触金属，设置在所述凹槽中，其中所述欧姆接触金属与所述凹槽中的所述阻障层的垂直侧面直接接触，并且与所述凹槽中的所述二维电子气层和所述通道层的倾斜侧面直接接触，所述倾斜侧面与水平面以60度至80度的角度倾斜，所述凹槽位于所述二维电子气层和所述通道层中的部分具有自上而下渐缩的轮廓。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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