华中科技大学王健获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种超紧凑非易失光子神经突触器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115332440B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210883229.9，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种超紧凑非易失光子神经突触器件是由王健;权志强设计研发完成，并于2022-07-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种超紧凑非易失光子神经突触器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种超紧凑非易失光子神经突触器件，属于光计算领域。包括衬底、脊波导、相变薄膜、金属薄膜，脊波导设置于衬底的上方，覆盖整个衬底区域，相变薄膜分布在脊波导脊型区域的上方，金属薄膜覆盖在相变薄膜上方，几何参数与相变薄膜相同，脊波导中的基模与相变薄膜和金属薄膜的交界面的表面等离激元SPPs模式形成叠加光场，其中脊波导的几何结构将影响叠加模式的有效模式折射率，进一步通过优化周期性槽脊波导的几何参数以及调制区域的长度以实现不同的归一化强度输出。通过改变相变薄膜的相态晶态，非晶态，实现光子神经突触在相变薄膜为不同相态的情况下具有较大的输出强度差。
本发明授权一种超紧凑非易失光子神经突触器件在权利要求书中公布了：1.一种超紧凑非易失光子神经突触器件，其特征在于，包括衬底1、脊波导2、相变薄膜3、金属薄膜4，所述脊波导2设置于衬底1的上方，所述相变薄膜3分布在脊波导2脊型区域的上方，所述金属薄膜4分布在相变薄膜3上方；所述相变薄膜3和金属薄膜4在传播方向上的长度选择应使得入射端所产生的SPPs波与出射端交界面处反射的SPPs波满足相长干涉条件。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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