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龙图腾网获悉哈廷电子基金会两合公司申请的专利高功率插接连接器系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115336121B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180024121.8，技术领域涉及：H01R31/02；该发明授权高功率插接连接器系统是由D·黑利格;W·格斯特尔;A·弗德合设计研发完成，并于2021-03-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本高功率插接连接器系统在说明书摘要公布了：本发明涉及一种高功率插接连接器系统，所述高功率插接连接器系统具有电缆连接壳体，所述电缆连接壳体用于连接至少两个高功率电插接连接器，以用于传输和或分配高电流强度和或高电压，其中，所述电缆连接壳体在内部空间中容纳用于各容纳至少一个高功率触头的至少两个绝缘体和至少一个导电轨，其中所述轨被设计成在至少两个高功率触头之间建立导电连接，并且其中所述绝缘体至少部分地各通过一个壳体穿孔从所述内部空间突出到连接区域中，其中所述连接区域设计用于容纳所述高功率插接连接器。

本发明授权高功率插接连接器系统在权利要求书中公布了：1.一种高功率插接连接器系统1，所述高功率插接连接器系统具有电缆连接壳体2，所述电缆连接壳体用于连接至少两个高功率电插接连接器3，以用于传输和或分配高电流强度和或高电压，其中，所述电缆连接壳体2包括在内部空间7中的用于各容纳至少一个高功率触头5的至少两个绝缘体4和至少一个导电轨6，其中所述导电轨6被设计成在至少两个高功率触头5之间建立导电连接，并且其中所述绝缘体4至少部分地各通过一个壳体穿孔8从所述内部空间7突出到所述电缆连接壳体2的连接区域9中，其中所述连接区域9设计用于容纳所述高功率插接连接器3，其特征在于，所述电缆连接壳体2被设计成具有基本上凹入地成型的壳体上侧Go，其中所述内部空间7至少具有第一绝缘壳12和第二绝缘壳12'，其中，所述第一绝缘壳12和所述第二绝缘壳12'沿着至少一个侧壁叠置，其中所述电缆连接壳体2至少在所述壳体上侧Go上形成有至少两个基本平坦的接触面14并且所述接触面14至少达到由基本上平行于所述电缆连接壳体2延伸的直线和所述壳体上侧Go的凹形偏转的最高点形成的平面的高度，并且其中壳体下侧Gu设置有至少一个基本平坦的接触面14'并且所述基本平坦的接触面14'被成形为用于连接接地导体，其中，所述电缆连接外壳2具有用于对所述内部空间7进行介质密封封闭的壳体盖15，所述壳体盖15具有用于容纳封闭帽13的凹陷部16。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人哈廷电子基金会两合公司，其通讯地址为：德国埃斯珀尔坎普；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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