江苏第三代半导体研究院有限公司闫其昂获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏第三代半导体研究院有限公司申请的专利半导体外延结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115347037B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211022770.7，技术领域涉及：H10D62/53；该发明授权半导体外延结构及其制备方法是由闫其昂;王国斌设计研发完成，并于2022-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体外延结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体外延结构及其制备方法。所述半导体外延结构包括设置在衬底上的高质量外延层，其包括：外延限制层以及设置在其上的第二外延生长层，所述外延限制层包括外限制单元、内间断单元和第一外延生长层，所述外限制单元呈四周闭合状包围内间断单元和第一外延生长层，所述内间断单元呈间隔设置，且第一外延生长层分布设置于外限制单元与内间断单元之间，以及相邻内间断单元之间的区域内。本发明通过在内间断单元设置不连续的间断区间，利用外延限制层在生长过程中衬底和外延层间的高位错在间断区间位置多次转向，促使位错充分转弯达到位错自我湮灭，极大地降低穿透位错的分布，从而提高异质衬底外延半导体外延层的晶体质量。
本发明授权半导体外延结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体外延结构，其特征在于包括：高质量外延层，设置在异质衬底上；所述高质量外延层包括： 外延限制层，包括外限制单元、内间断单元和第一外延生长层，所述外限制单元的高度为1~5μm，壁厚为0.2~5μm，所述外限制单元呈四周闭合状包围内间断单元和第一外延生长层；其中，所述内间断单元的厚度为0.5~2.5μm，其在竖直方向和水平方向均呈间隔设置，相邻两个所述内间断单元之间的间距为0.5~2μm，所述内间断单元的两端分别与所述外限制单元的四周壁连接；且第一外延生长层分布设置于所述外限制单元与内间断单元之间，以及相邻内间断单元之间的区域内； 第二外延生长层，设置在外延限制层上。
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