拓尔微电子股份有限公司边疆获国家专利权
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龙图腾网获悉拓尔微电子股份有限公司申请的专利NLDMOS功率管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115347050B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211055969.X，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权NLDMOS功率管及其制备方法是由边疆;徐明设计研发完成，并于2022-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本NLDMOS功率管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提出一种NLDMOS功率管，NLDMOS功率管通过将多条第一金属和多条第二金属采用斜角设置并通过通孔对应连接，斜角设置时，一方面增加了连接源区和漏区的第一金属的叉指的并联数目，另一方面，第一金属和第二金属重叠面积增加，第一金属和第二金属之间的通孔可设置更多，即源区和漏区之间的通孔可设置更多，增加了源区到漏区之间的金属通路，源区和漏区之间的电流并行通过，改善电流拥堵，提高了电流均匀性以及NLDMOS功率管的可靠性。
本发明授权NLDMOS功率管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种NLDMOS功率管，其特征在于，包括： 形成于半导体衬底的漂移区和P阱，所述漂移区和所述P阱间隔设置； 分别于所述漂移区和所述P阱上形成的源区和漏区； 分别与所述源区和所述漏区连接的第一金属层，所述第一金属层包括沿第一方向等间距平行设置的多条第一金属，多条所述第一金属按照预设条数间隔等分连接至所述源区和所述漏区； 层叠于所述第一金属层上的第二金属层，所述第二金属层包括沿第二方向等间距平行设置的多条第二金属，多条所述第二金属与所述多条所述第一金属通过通孔对应连接，其中，所述第一方向与所述第二方向呈斜角设置。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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