买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉位速科技股份有限公司申请的专利薄膜光伏结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115377061B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210956913.5，技术领域涉及：H01L23/538；该发明授权薄膜光伏结构及其制作方法是由柯崇文;张宇帆;张裕洋;黄松健;刘修铭设计研发完成，并于2022-08-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本薄膜光伏结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种薄膜光伏结构，包含一基板、一第一导电层、一光伏层、一第二导电层、若干串联导电层及若干第一绝缘区，利用串联导电层缩短相邻次光伏结构在串联时的宽度，因此能够增加薄膜光伏采集光能的有效作用面积，有效提升薄膜光伏结构的GFF。而且，利用串联导电层及第一绝缘区形成叠设状态的接触重叠区的设置，令制作过程中对第二导电层进行蚀刻时，可有效保护第一导电层的导电区，以避免导电区被破坏而影响作为电极的功能，从而有效提升薄膜光伏结构的制程良率。依据薄膜光伏结构，本发明还提供一种薄膜光伏结构制作方法。

本发明授权薄膜光伏结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种薄膜光伏结构，其特征在于，包括： 一基板11； 一第一导电层12，设置于该基板11上，且该第一导电层12具有若干第一蚀刻区121以将该第一导电层12划分为若干第一导电区122； 一光伏层13，设置于该第一导电层12上，且该光伏层13具有若干光伏蚀刻区131以将该光伏层13划分为若干光伏区132； 一第二导电层14，设置于该光伏层13上，且该第二导电层14具有若干第二蚀刻区141以将该第二导电层14划分为若干第二导电区142； 若干串联导电层16分别设置于若干该光伏蚀刻区131下方且分别于若干该第一导电区122的上表面，若干该第二导电区142分别填充于若干该光伏蚀刻区131并分别与若干该串联导电层16电性接触；以及 若干第一绝缘区15，分别设置于若干该第二蚀刻区141下方且于若干该光伏区132的上表面，且各该第一绝缘区15往下延伸填充于各该光伏蚀刻区131，各该第一绝缘区15并与各该串联导电层16上下重叠接触以分别形成一接触重叠区P，各该第二蚀刻区141位于所对应的该接触重叠区P的正上方的范围之内。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人位速科技股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾桃园市杨梅区高青路26号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。