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龙图腾网获悉普列斯半导体有限公司申请的专利单片电子器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115428133B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180026894.X，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权单片电子器件是由J·怀特曼设计研发完成，并于2021-03-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本单片电子器件在说明书摘要公布了：提供了一种形成和测试多个单片电子器件的方法。作为该方法的一部分，在牺牲衬底上形成包含III族氮化物的单片器件阵列。包括电接触的测试衬底与单片器件阵列的电接触对齐并通过接合介电层接合到单片器件阵列。从测试衬底供电以测试单片器件阵列的单片器件。然后部分牺牲衬底被选择性地去除以分离每个单片电子器件，其中，牺牲介电层被去除以将每个单片电子器件与测试衬底分离。

本发明授权单片电子器件在权利要求书中公布了：1.一种形成和测试多个单片电子器件的方法，所述方法包括： a形成单片电子器件阵列，包括： 在牺牲衬底上形成包含III族氮化物的公共半导体层； 在所述公共半导体层的与所述牺牲衬底相对的一侧上，在所述公共半导体层的表面上形成单片电子器件阵列，所述单片电子器件阵列的每个单片电子器件包括多个III族氮化物层； 在所述单片电子器件阵列上方形成平坦化介电层以设置平坦化介电表面，所述平坦化介电表面大致与所述公共半导体层的表面对齐； 通过从所述平坦化介电表面到所述牺牲衬底蚀刻所述平坦化介电层和所述公共半导体层以形成沟槽网格，其中所述沟槽网格围绕每个所述单片电子器件； 通过所述平坦化介电层形成与每个所述单片电子器件的第一电接触， 在所述沟槽网格和所述平坦化介电层的所述平坦化介电表面上方形成牺牲介电层，以形成与所述公共半导体层的表面大致对齐的第一接合表面，其中所述第一接合表面包括与每个所述第一电接触对准的第一孔； b设置测试衬底，包括： 包括电子测试电路的电子衬底，其被配置为向所述单片电子器件阵列的每个所述单片电子器件供电；和 多个第二电接触，其布置在所述电子衬底上以对应于所述单片电子器件阵列的所述第一电接触的布置； 其中，在所述电子衬底上形成接合介电层以设置第二接合表面，所述第二接合表面包括与每个所述第二电接触对准的第二孔； c将所述测试衬底的所述第二电接触与所述单片电子器件阵列的所述第一电接触对准，并将所述测试衬底的所述第二接合表面接合到所述牺牲介电层的所述第一接合表面，使得所述第一电接触和所述第二电接触进行电接触； d从所述测试衬底向所述单片电子器件阵列供电，以通过多个的所述第一电接触和所述第二电接触来测试所述单片电子器件阵列的每个所述单片电子器件；和 e穿过所述牺牲衬底的厚度，选择性地去除所述牺牲衬底的第一部分，以将每个所述单片电子器件与相邻单片电子器件分离；和 去除所述牺牲介电层，以将每个所述单片电子器件与所述测试衬底分离。

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