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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种低损耗的平面电感磁芯及其设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115440458B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211221946.1，技术领域涉及：H01F1/14；该发明授权一种低损耗的平面电感磁芯及其设计方法是由任鹏远;陈文洁;黄兴伟;陈钰宣;党昊炜;王云;孙昰行;苏鼎;孟鑫设计研发完成，并于2022-10-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低损耗的平面电感磁芯及其设计方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低损耗的平面电感磁芯及其设计方法，平面电感磁芯包括上磁轭和下磁轭、左边柱、右边柱以及中柱；上磁轭和下磁轭、左边柱、右边柱以及中柱围成侧面全包围结构，消除了传统的气隙结构；所述上磁轭和下磁轭由第一磁芯材料制成；左边柱、右边柱以及中柱由第二磁芯材料制成；且第一磁芯材料的磁导率低于第二磁芯材料的磁导率；平面电感磁芯的磁阻呈现关于横向对称轴的对称分布。该磁芯结构简单，易于实施，可以显著降低高频功率磁件的高频铜损，同时有效解决了现有的针对MMF分布优化的绕组结构优化方法无法在电感中应用的问题。

本发明授权一种低损耗的平面电感磁芯及其设计方法在权利要求书中公布了：1.一种低损耗的平面电感磁芯的设计方法，其特征在于：所述低损耗的平面电感磁芯包括上磁轭、下磁轭、电感绕组、左边柱、右边柱以及中柱；上磁轭和下磁轭、左边柱、右边柱以及中柱围成侧面全包围结构；所述电感绕组穿过中柱，被上下磁轭及左右边柱包围； 所述上磁轭和下磁轭由第一磁芯材料制成；左边柱、右边柱以及中柱由第二磁芯材料制成；且第一磁芯材料的磁导率低于第二磁芯材料的磁导率；平面电感磁芯的磁阻呈现关于横向对称轴的对称分布； 所述设计方法，包括： 对目标感值为L、有气隙且完全由高相对磁导率μrh材料组成的磁芯结构进行设计，得到高磁导率值μrh以及磁芯的气隙长度g； 依据磁阻守恒原则，保证结构及材料变化前后磁芯的总磁阻不变的原则下，通过如下方法得到合适的用于上下磁轭的低相对磁导率材料的相对磁导率μrl为： 其中δ1和δ2为上下磁轭的高度；w1和w2为分别为边柱和中柱的宽度；kf1和kf2分别为由于边缘效应带来的边柱和中柱的面积等效扩大的放大系数；ly为磁芯的宽度；g为气隙长度。

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