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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第十三研究所申请的专利双极型晶体管的制备方法及双极型晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115458405B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211129731.7，技术领域涉及：H10D10/01；该发明授权双极型晶体管的制备方法及双极型晶体管是由李飞;李亮;张鸿亮;王敬轩;宋红伟;余伟康设计研发完成，并于2022-09-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本双极型晶体管的制备方法及双极型晶体管在说明书摘要公布了：本发明提供一种双极型晶体管的制备方法及双极型晶体管。该制备方法包括：在获取的衬底的上表面制备第一氧化层和保护层，并通过刻蚀保护层后得到的预设窗口在衬底中的对应位置制备分压环，在对制备分压环后的衬底进行高温退火的同时在预设窗口的位置制备第二氧化层，并去除保护层；确定基区、发射区和浓硼区，并对基区、发射区和浓硼区进行相应的离子注入；之后制备第一层金属引线和第二层金属引线，并在两层金属引线之间制备互连引线层，最后在衬底的下表面制备第一金属层并烧结，得到双极型晶体管。本发明有效避免了在进行基区掺杂时光刻工艺无法准确限制基区按照设计尺寸进行分布的问题，还有效降低了基区电阻，提升了器件性能。

本发明授权双极型晶体管的制备方法及双极型晶体管在权利要求书中公布了：1.一种双极型晶体管的制备方法，其特征在于，包括： 获取衬底，在所述衬底的上表面依次制备第一氧化层和保护层，并通过刻蚀所述保护层后得到的预设窗口在所述衬底中的对应位置制备第一预设数量的分压环； 对制备所述分压环后的衬底进行高温退火及氧化，以在所述预设窗口的位置制备第二氧化层，并去除刻蚀后的保护层，得到第一样品； 通过相应的光刻版在所述第一样品的上表面进行光刻以确定基区、发射区和浓硼区，并分别对所述基区、所述发射区和所述浓硼区进行相应的离子注入，得到第二样品； 在所述第二样品的上表面制备第一介质层，并在所述第一介质层上制备第一层金属引线窗口后，在所述第一层金属引线窗口处制备第一层金属引线，得到第三样品；其中，所述第一层金属引线窗口与所述发射区和所述浓硼区的位置对应； 在所述第三样品的上表面制备第二介质层，并在所述第二介质层上制备第二层金属引线窗口后，在所述第二层金属引线窗口处制备互连引线层，在所述互连引线层上制备第二层金属引线；所述第二层金属引线窗口与所述发射区的位置对应； 在所述衬底的下表面制备第一金属层并烧结，得到双极型晶体管； 其中，在所述衬底的上表面制备第一氧化层时，在低温环境中进行氧化，所述低温环境的温度为600℃-1000℃。

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