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龙图腾网获悉重庆大学申请的专利一种基于SiC MOSFET串联高压开关组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115459751B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211023827.5，技术领域涉及：H03K17/081；该发明授权一种基于SiC MOSFET串联高压开关组件是由余亮;贺大钊;董守龙;姚陈果;任吕衡设计研发完成，并于2022-08-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于SiC MOSFET串联高压开关组件在说明书摘要公布了：本发明公开一种基于SiCMOSFET串联高压开关组件，包括磁隔离驱动模块；磁隔离驱动模块工作时，原边绕组接收外部驱动信号；所述磁芯和磁环在外部驱动信号的作用下产生控制信号，并通过副边绕组传输至磁隔离驱动模块；所述磁隔离驱动模块对不同开关的控制信号进行隔离，在控制信号的作用下，使串联开关同步动作输出高压脉冲。本发明制造了一套高压开关组件，最大安全工作电压可达60kV，最高耐压为100kV。

本发明授权一种基于SiC MOSFET串联高压开关组件在权利要求书中公布了：1.一种基于SiCMOSFET串联高压开关组件，其特征在于：包括磁隔离驱动模块； 所述磁隔离驱动模块包括n个级联的磁隔离驱动电路；整数n≥1； 每个磁隔离驱动电路均至少包括若干开关管、若干电阻和磁环； 每个磁环上均绕制有副边绕组； n个磁环均套设在同一磁芯上；所述磁芯内部布置有原边绕组，且原边绕组从磁芯的两端穿出； 其中，第i个磁隔离驱动电路的电路拓扑如下所示： 记绕制在第i个磁环上的副边绕组两端分别为Bi1端和Bi2端； 电阻Ri-1的一端连接副边绕组的Bi1端，另一端连接开关管Si-1的栅极；开关管Si-1的源极连接副边绕组的Bi2端，漏极连接第i+1个磁隔离驱动模块的开关管Si+1-3的漏极； 开关管Si-2的源极连接副边绕组的Bi1端，漏极串联电阻Rgi后连接开关管Si-3的栅极；开关管Si-2的漏极串联电容Cgi后连接开关管Si+1-3的漏极； 开关管Si-2的漏极依次串联电阻Rgi、双向稳压二极管Zi后连接开关管Si+1-3的漏极；开关管Si-2的栅极串联电阻Ri-2后连接开关管Si+1-3的漏极； 所述开关管Si-3的源极串联电阻Rli后连接开关管Si+1-3的漏极； 磁隔离驱动模块工作时，原边绕组接收外部驱动信号； 所述磁芯和磁环在外部驱动信号的作用下产生控制信号，并通过副边绕组传输至磁隔离驱动模块； 所述磁隔离驱动模块对不同开关的控制信号进行隔离，在控制信号的作用下，使串联开关同步动作输出高压脉冲。

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