华映科技(集团)股份有限公司陈伟获国家专利权
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龙图腾网获悉华映科技(集团)股份有限公司申请的专利一种可降低触控电容的阵列基板的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115472563B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211069965.7，技术领域涉及：H10D86/01；该发明授权一种可降低触控电容的阵列基板的制造方法是由陈伟;潜垚设计研发完成，并于2022-09-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种可降低触控电容的阵列基板的制造方法在说明书摘要公布了：一种可降低触控电容的阵列基板的制造方法，包括：依序在Glass上Pattern形成buffer层SiOx、有源层、刻蚀阻挡层ES、和金属层GE，包括栅极和触控层CM；沉积一层绝缘保护层PV；涂布一层有机平坦层OC，并Pattern出OC孔；采用ES光罩进行曝光显影蚀刻制程，Pattern出ES孔；在OC层上Pattern一层金属层SD，并通过ES孔与SE相连接，触控层CM处Pattern出金属垫层；沉积一层绝缘层VA，形成VA孔；沉积一层像素电极PE，通过CH孔与源漏极金属层搭接。本发明降低了触控电容，提高了主动笔信号的接收度。
本发明授权一种可降低触控电容的阵列基板的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种可降低触控电容的阵列基板的制造方法，其特征在于：包括如下步骤： 第一步：依序在玻璃上图案化形成缓冲层SiOx； 第二步：图案化形成有源层SE； 第三步：沉积一层刻蚀阻挡层ES； 第四步：图案化形成金属层GE，包括栅极和触控层CM； 第五步：沉积一层绝缘保护层PV； 第六步：在TFT器件上涂布一层有机平坦层OC，并图案化出OC孔； 第七步：采用ES光罩进行曝光、显影和蚀刻制程，图案化出ES孔； 第八步：在所述有机平坦层OC上图案化一层金属层SD，并通过所述ES孔与所述有源层SE相连接，触控层CM处图案化出金属垫层； 第九步：沉积一层绝缘层VA，并图案化形成VA孔； 第十步：沉积一层公共电极BC，并图案化通过所述VA孔与金属层SD搭接； 第十一步：在BC孔上沉积一层绝缘层CH，并图案化形成CH孔； 第十二步：沉积一层像素电极PE，并图案化通过所述CH孔与金属层SD搭接。
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