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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种抗单粒子效应的高电子迁移率晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115472688B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211012775.1，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种抗单粒子效应的高电子迁移率晶体管及其制备方法是由赵胜雷;南继澳;张进成;张嘎;宋秀峰;刘爽;吴风;郝跃设计研发完成，并于2022-08-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种抗单粒子效应的高电子迁移率晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请实施例涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种抗单粒子效应的高电子迁移率晶体管及其制备方法，包括：衬底以及依次堆叠在衬底上的成核层、缓冲层、沟道层和势垒层；位于势垒层上的源极和漏极，且源极和漏极分别与势垒层形成欧姆接触；位于势垒层上的氮化物层，且氮化物层位于源极和漏极之间；位于氮化物层两侧的增强钝化层，增强钝化层覆盖氮化物层的侧壁和至少部分顶壁；位于氮化物层上的栅极，栅极的底部与增强钝化层接触，且栅极的底部与氮化物层形成欧姆接触或肖特基接触。本申请实施例能够解决现有的高电子迁移率晶体管在长时间的辐照环境下单粒子烧毁加速导致的器件发生提前击穿的问题。

本发明授权一种抗单粒子效应的高电子迁移率晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种抗单粒子效应的高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括： 衬底以及依次堆叠在所述衬底上的成核层、缓冲层、沟道层和势垒层； 位于所述势垒层上的源极和漏极，且所述源极和所述漏极分别与所述势垒层形成欧姆接触； 位于所述势垒层上的氮化物层，且所述氮化物层位于所述源极和所述漏极之间； 位于所述氮化物层两侧的增强钝化层，所述增强钝化层覆盖所述氮化物层的侧壁和至少部分顶壁； 位于所述氮化物层上的栅极，所述栅极的底部与所述增强钝化层接触，且所述栅极的底部与所述氮化物层形成欧姆接触或肖特基接触； 所述晶体管还包括： 第一钝化层，所述第一钝化层位于所述氮化物层靠近所述源极一侧的增强钝化层和所述源极之间； 第二钝化层，所述第二钝化层位于所述氮化物层靠近所述漏极一侧的增强钝化层和所述漏极之间； 所述增强钝化层的材料的临界击穿电场强度大于所述第一钝化层的材料的临界击穿电场强度，且所述增强钝化层的材料的临界击穿电场强度大于所述第二钝化层的材料的临界击穿电场强度。

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