中微半导体设备(上海)股份有限公司黄振华获国家专利权
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龙图腾网获悉中微半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利一种半导体器件的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115483100B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110601714.8，技术领域涉及：H01L21/311；该发明授权一种半导体器件的形成方法是由黄振华;赵兵;代迷迷;刘健钢设计研发完成，并于2021-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件的形成方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件的形成方法，包括：提供基底，所述基底的表面包括氧化层和设于所述氧化层周围的非氧化层；轰击：利用一轰击离子对所述氧化层的表面进行轰击，在其表面形成Si‑O悬键；沉积：通入刻蚀气体，所述刻蚀气体在所述氧化层的表面与Si‑O悬键形成结合层，在非氧化层的表面形成碳氟聚合物层；清除：通入轰击气体，利用所述轰击气体提供的能量，使结合层中的Si‑O悬键与刻蚀气体的前驱物发生反应形成可挥发气体。本发明提供的方法，提高了氧化硅对氮化硅和多晶硅的刻蚀选择比，形成的碳氟聚合物层能够保护氮化硅和多晶硅不受离子轰击的损伤，同时实现了对刻蚀形貌的精确控制，适用于刻蚀3DNAND存储器不同位置的氧化硅。
本发明授权一种半导体器件的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底的表面包括氧化层和设于所述氧化层周围的非氧化层；轰击：利用一轰击离子对所述氧化层的表面进行轰击，在其表面形成Si-O悬键；所述轰击离子由惰性气体在射频功率的作用下形成； 沉积：通入刻蚀气体，所述刻蚀气体在所述氧化层的表面与Si-O悬键形成结合层，在非氧化层的表面形成碳氟聚合物层； 清除：通入轰击气体，利用所述轰击气体提供的能量，使结合层中的Si-O悬键与刻蚀气体的前驱物发生反应形成可挥发气体；所述轰击气体为惰性气体。
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