中山大学卢星获国家专利权
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龙图腾网获悉中山大学申请的专利一种GaN基CMOS器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115497938B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210988175.2，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权一种GaN基CMOS器件及其制备方法是由卢星;裴艳丽;成声亮;陈梓敏;王钢设计研发完成，并于2022-08-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种GaN基CMOS器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种GaN基CMOS器件及其制备方法，涉及半导体领域，针对现有技术中GaN基器件没有良好P沟道的问题提出本方案。主要方法是利用不同方向的垂直电场诱导ε‑Ga2O3GaN异质结中的ε‑Ga2O3发生极化翻转，使异质结界面形成2DEG或者2DHG，从而实现CMOS器件上的NMOS和PMOS结构相同，完全兼容。同时还能进一步得到载流子浓度和迁移率等电学参数均远大于传统技术的p沟道晶体管。
本发明授权一种GaN基CMOS器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种GaN基CMOS器件，包括漏极共点连接的NMOS和PMOS； 其特征在于， 所述NMOS和PMOS结构相同，分别在同一衬底上依次外延生长出GaN层和ε-Ga2O3层；在ε-Ga2O3层上设置介质层，介质层上设置栅极；在栅极两侧分别设置源极和漏极垂直延伸接触所述GaN层；所述GaN层和ε-Ga2O3层均具有沿c轴方向的自发极化，且ε-Ga2O3层的极化方向受垂直电场调控； 所述NMOS的GaN层和ε-Ga2O3层组成ε-Ga2O3GaN异质结，其界面形成二维电子气； 所述PMOS的GaN层和ε-Ga2O3层组成ε-Ga2O3GaN异质结，其界面形成二维空穴气； 所述二维电子气和或二维空穴气通过垂直于ε-Ga2O3GaN异质结界面的电场进行诱导转换。
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