上海精密计量测试研究所陈凡获国家专利权
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龙图腾网获悉上海精密计量测试研究所申请的专利一种红外实时监测功率二极管芯片温度的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115524008B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211113584.4，技术领域涉及：G01J5/00；该发明授权一种红外实时监测功率二极管芯片温度的方法是由陈凡;王昆黍;宋翔;游君;陈龙设计研发完成，并于2022-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种红外实时监测功率二极管芯片温度的方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种红外实时监测功率二极管芯片温度的方法，其特征在于，包括：在待测功率二极管芯片表面制备碳化硼‑聚酰亚胺涂层；将功率二极管芯片接入老化电路，采用发射率校准红外法实时监测功率二极管芯片温度。本发明通过在芯片表面制备发射率ε均匀一致的碳化硼‑聚酰亚胺涂层，解决了因芯片表面材料发射率ε不一致而无法采用传统红外法准确测试芯片温度的问题，同时验证了涂层不会影响芯片表面电流和温度的分布状态。
本发明授权一种红外实时监测功率二极管芯片温度的方法在权利要求书中公布了：1.一种红外实时监测功率二极管芯片温度的方法，其特征在于，包括：采用旋转涂层法在待测功率二极管芯片表面制备碳化硼-聚酰亚胺涂层，涂层厚度L范围为4～8μm；将功率二极管芯片接入老化电路，采用发射率校准红外法实时监测功率二极管芯片温度， 所述旋转涂层法包括：将碳化硼颗粒与聚酰亚胺球磨混合均匀后涂覆在待测功率二极管芯片表面，所述碳化硼颗粒的直径范围为30～50nm；将待测功率二极管芯片固定在旋转涂膜机内；通过改变旋转涂膜机的转速控制离心力，获得合适的涂层厚度L；加热使涂层固化，再自然冷却至室温； 所述采用发射率校准红外法实时监测功率二极管芯片温度包括：采用红外热成像仪测试芯片温度，再根据涂层发射率ε对其进行校准，通过发射率校准红外法实时监测芯片温度； 涂层发射率ε获得步骤包括：采用加热管使二极管芯片温度升高，涂层上表面温度和涂层下表面的芯片真实温度均等于加热管温度Tb；采用红外热成像仪获取涂覆涂层的芯片表面辐射温度Tr；红外热成像仪测试的芯片表面辐射温度Tr与芯片真实温度Tb满足关系由此计算涂层发射率ε，C为常数。
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