中芯集成电路(宁波)有限公司郭守伟获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯集成电路(宁波)有限公司申请的专利一种半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115547858B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211258083.5，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权一种半导体器件及其制造方法是由郭守伟;刘孟彬设计研发完成，并于2022-10-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：一种半导体器件及其制造方法，所述制造方法包括：提供基底，所述基底上形成有介质层，所述介质层中形成有金属焊垫，所述金属焊垫上形成有金属凸块，所述金属焊垫的边缘部分暴露在所述介质层和所述金属凸块外部；形成抗反射层，所述抗反射层至少覆盖所述金属焊垫的所述边缘部分；涂布光刻胶层，对所述光刻胶层进行曝光和显影，以得到覆盖所述金属凸块和所述金属焊垫的图案化的光刻胶层；以所述图案化的光刻胶层为掩膜对所述介质层进行刻蚀；去除所述图案化的光刻胶层和所述抗反射层。本发明在执行光刻工艺前在金属焊垫上形成抗反射层，能够避免曝光过程中金属焊垫在非曝光区域反射光线，进而避免出现光刻胶残留。
本发明授权一种半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括： 提供基底，所述基底上形成有介质层，所述介质层中形成有金属焊垫，所述金属焊垫上形成有金属凸块，所述金属焊垫的边缘部分暴露在所述介质层和所述金属凸块外部； 形成抗反射层，所述抗反射层至少覆盖所述金属焊垫的边缘部分； 涂布光刻胶层，对所述光刻胶层进行曝光和显影，以得到覆盖所述金属凸块和所述金属焊垫的图案化的光刻胶层； 以所述图案化的光刻胶层为掩膜对所述介质层进行刻蚀； 去除所述图案化的光刻胶层和所述抗反射层。
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